| ชื่อเรื่อง | : | 4H-SiC wafers studied by X-ray absorption and Raman scattering |
| นักวิจัย | : | Xu, Qiang , Sun, Hua Yang , Chen, Cheng , Jang, Ling-Yun , E. Rusli , Mendis, Suwan P. , Tin, Chin Che , Qiu, Zhi Ren , Wu, Zhengyun , Liu, Chee Wee , Feng, Zhe Chuan |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electric apparatus and materials |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | http://hdl.handle.net/10220/11147 , http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.509 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Synchrotron radiation X-ray absorption and UV 325 nm excitation Raman scattering- photoluminescence (PL) have been employed to investigate a series of 4H-SiC wafers, including bulk, epitaxial single or multiple layer structures by chemical vapor deposition. Significant results on the atomic bonding and PL-Raman properties are obtained from these comparative studies. |
| บรรณานุกรม | : |
Xu, Qiang , Sun, Hua Yang , Chen, Cheng , Jang, Ling-Yun , E. Rusli , Mendis, Suwan P. , Tin, Chin Che , Qiu, Zhi Ren , Wu, Zhengyun , Liu, Chee Wee , Feng, Zhe Chuan . (2555). 4H-SiC wafers studied by X-ray absorption and Raman scattering.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Xu, Qiang , Sun, Hua Yang , Chen, Cheng , Jang, Ling-Yun , E. Rusli , Mendis, Suwan P. , Tin, Chin Che , Qiu, Zhi Ren , Wu, Zhengyun , Liu, Chee Wee , Feng, Zhe Chuan . 2555. "4H-SiC wafers studied by X-ray absorption and Raman scattering".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Xu, Qiang , Sun, Hua Yang , Chen, Cheng , Jang, Ling-Yun , E. Rusli , Mendis, Suwan P. , Tin, Chin Che , Qiu, Zhi Ren , Wu, Zhengyun , Liu, Chee Wee , Feng, Zhe Chuan . "4H-SiC wafers studied by X-ray absorption and Raman scattering."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Xu, Qiang , Sun, Hua Yang , Chen, Cheng , Jang, Ling-Yun , E. Rusli , Mendis, Suwan P. , Tin, Chin Che , Qiu, Zhi Ren , Wu, Zhengyun , Liu, Chee Wee , Feng, Zhe Chuan . 4H-SiC wafers studied by X-ray absorption and Raman scattering. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
