| ชื่อเรื่อง | : | A new mechanism of symmetry of current-voltage characteristics for high-k dielectric capacitor structures. |
| นักวิจัย | : | Lau, Wai Shing. |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | Lau, W. S. (2012). A New Mechanism of Symmetry of Current-Voltage Characteristics for High-k Dielectric Capacitor Structures. ECS Transactions,45(3), 151-158. , 1938-6737 , http://hdl.handle.net/10220/11035 , http://dx.doi.org/10.1149/1.3700881 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | ECS transactions |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Historically, there has been a controversy regarding whether the leakage current versus voltage (I-V) relationship is governed by the Schottky mechanism or by the Poole-Frenkel (P-F) mechanism for several decades. For the P-F mechanism, the I-V characteristics is expected to be symmetrical. In this paper, the author points out that there is an extra mechanism for symmetrical I-V characteristics. |
| บรรณานุกรม | : |
Lau, Wai Shing. . (2555). A new mechanism of symmetry of current-voltage characteristics for high-k dielectric capacitor structures..
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Lau, Wai Shing. . 2555. "A new mechanism of symmetry of current-voltage characteristics for high-k dielectric capacitor structures.".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Lau, Wai Shing. . "A new mechanism of symmetry of current-voltage characteristics for high-k dielectric capacitor structures.."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Lau, Wai Shing. . A new mechanism of symmetry of current-voltage characteristics for high-k dielectric capacitor structures.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
