A simple approach to form Ge nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric by pulsed laser ablation

ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

A simple approach to form Ge nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric by pulsed laser ablation

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง	:	A simple approach to form Ge nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric by pulsed laser ablation
นักวิจัย	:	Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See
คำค้น	:	DRNTU::Engineering::Materials::Nanostructured materials.
หน่วยงาน	:	Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน	:	-
ปีพิมพ์	:	2549
อ้างอิง	:	Yuan, C. L., Darmawan, P., Setiawan, Y., & Lee, P. S. (2006). A simple approach to form Ge nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric by pulsed laser ablation. Europhysics Letters (EPL), 74(1), 177-180. , 0295-5075 , http://hdl.handle.net/10220/10483 , http://dx.doi.org/10.1209/epl/i2005-10505-4
ที่มา	:	-
ความเชี่ยวชาญ	:	-
ความสัมพันธ์	:	Europhysics letters (EPL)
ขอบเขตของเนื้อหา	:	-
บทคัดย่อ/คำอธิบาย	:	We have successfully developed a novel method to fabricate the memory structure of Ge nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k dielectric using pulsed laser ablation. The mean size and aerial density of the Ge nanocrystals are estimated to be about 9 nm and 7 × 1011 cm−2, respectively. Good performances in terms of large memory window and long data retention were observed. Our preparation method is simple, fast and economical.
บรรณานุกรม	:	APA Chicago MLA Vancouver Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See . (2549). A simple approach to form Ge nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric by pulsed laser ablation. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See . 2549. "A simple approach to form Ge nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric by pulsed laser ablation". กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See . "A simple approach to form Ge nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric by pulsed laser ablation." กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print. Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See . A simple approach to form Ge nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric by pulsed laser ablation. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.