| ชื่อเรื่อง | : | Leakage conduction mechanism of amorphous Lu2O3 high-k dielectric films fabricated by pulsed laser ablation |
| นักวิจัย | : | Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Chan, Mei Yin , Lee, Pooi See |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials::Thin films |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2550 |
| อ้างอิง | : | Yuan, C. L., Darmawan, P., Chan, M. Y., & Lee, P. S. (2007). Leakage conduction mechanism of amorphous Lu2O3 high-k dielectric films fabricated by pulsed laser ablation. Europhysics letters (EPL), 77(6). , 0295-5075 , http://hdl.handle.net/10220/10498 , http://dx.doi.org/10.1209/0295-5075/77/67001 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Europhysics letters (EPL) |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Amorphous Lu2O3 thin films have been deposited on p-type (111) Si substrates by pulsed laser deposition (PLD). A equivalent oxide thickness (EOT) of 1.16 nm with a leakage current density of 4×10−5 A/cm2 at 1 V accumulation bias was obtained for 4.5 nm thick Lu2O3 thin film deposited at room temperature followed by post-deposition anneal (PDA) at 600 °C in oxygen ambient. The leakage conduction mechanisms of amorphous Lu2O3 films were investigated. It was found that the Poole-Frenkel (P-F) emission is the dominant conduction mechanism at high electric field region. |
| บรรณานุกรม | : |
Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Chan, Mei Yin , Lee, Pooi See . (2550). Leakage conduction mechanism of amorphous Lu2O3 high-k dielectric films fabricated by pulsed laser ablation.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Chan, Mei Yin , Lee, Pooi See . 2550. "Leakage conduction mechanism of amorphous Lu2O3 high-k dielectric films fabricated by pulsed laser ablation".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Chan, Mei Yin , Lee, Pooi See . "Leakage conduction mechanism of amorphous Lu2O3 high-k dielectric films fabricated by pulsed laser ablation."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2550. Print. Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Chan, Mei Yin , Lee, Pooi See . Leakage conduction mechanism of amorphous Lu2O3 high-k dielectric films fabricated by pulsed laser ablation. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2550.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
