| ชื่อเรื่อง | : | Enhanced charge storage capability of Ge/GeO2 core/shell nanostructure |
| นักวิจัย | : | Yuan, C. L. , Lee, Pooi See |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2551 |
| อ้างอิง | : | Yuan, C. L., & Lee, P. S. (2008). Enhanced charge storage capability of Ge/GeO2 core/shell nanostructure. Nanotechnology, 19(35). , 0957-4484 , http://hdl.handle.net/10220/10538 , http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/19/35/355206 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Nanotechnology |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | A Ge/GeO2 core/shell nanostructure embedded in an Al2O3 gate dielectrics matrix was produced. A larger memory window with good data retention was observed in the fabricated metal–insulator–semiconductor (MIS) capacitor for Ge/GeO2 core/shell nanoparticles compared to Ge nanoparticles only, which is due to the high percentage of defects located on the surface and grain boundaries of the GeO2 shell. We believe that the findings presented here provide physical insight and offer useful guidelines to controllably modify the charge storage properties of indirect semiconductors through defect engineering. |
| บรรณานุกรม | : |
Yuan, C. L. , Lee, Pooi See . (2551). Enhanced charge storage capability of Ge/GeO2 core/shell nanostructure.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yuan, C. L. , Lee, Pooi See . 2551. "Enhanced charge storage capability of Ge/GeO2 core/shell nanostructure".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yuan, C. L. , Lee, Pooi See . "Enhanced charge storage capability of Ge/GeO2 core/shell nanostructure."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2551. Print. Yuan, C. L. , Lee, Pooi See . Enhanced charge storage capability of Ge/GeO2 core/shell nanostructure. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2551.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
