| ชื่อเรื่อง | : | Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application |
| นักวิจัย | : | Yiew, Daphne Q. F. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See , Chi, Dong Zhi |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials::Thin films |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2548 |
| อ้างอิง | : | Yiew, D. Q. F., Setiawan, Y., Lee, P. S., & Chi, D. Z. (2006). Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application. Thin Solid Films, 504(1-2), 91-94. , 0040-6090 , http://hdl.handle.net/10220/10501 , http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2005.09.048 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Thin solid films |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Ti capping has been found to be beneficial on Er(Si1−yGey)2 formation in Ti/Er/Si1−xGex system. In the case of the system without Ti cap, the sample was oxidized at temperature as low as 300 °C and Er2SiO5 was found to be the predominant phase at all annealing temperatures. On the other hand, for Ti/Er/Si1−xGex samples, no Er2O3 was formed and the predominant phase found after annealing at higher temperature was Er(Si1−yGey)2 resulting in a lower sheet resistance than those without Ti cap. In addition, Ti capping has also improved the surface morphology of the sample by reducing the pyramid-like defects which were found in Er/Si1−xGex samples especially after annealing at 600 °C. |
| บรรณานุกรม | : |
Yiew, Daphne Q. F. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See , Chi, Dong Zhi . (2548). Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yiew, Daphne Q. F. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See , Chi, Dong Zhi . 2548. "Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yiew, Daphne Q. F. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See , Chi, Dong Zhi . "Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2548. Print. Yiew, Daphne Q. F. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See , Chi, Dong Zhi . Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2548.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
