ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Ultra-thin and flat mica as gate dielectric layers

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Ultra-thin and flat mica as gate dielectric layers
นักวิจัย : Low, Chong Guan , Zhang, Qing
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2555
อ้างอิง : Low, C. G., & Zhang, Q. (2012). Ultra-thin and Flat Mica as Gate Dielectric Layers. Small, 8(14), 2178-2183. , 1613-6810 , http://hdl.handle.net/10220/10086 , http://dx.doi.org/10.1002/smll.201200300
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Small
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Ultra-thin and flat mica-based carbon nanotube field-effect transistors reveal the excellent gate control capability and low leakage current due to the high dielectric constant and high dielectric strength of ultra-thin mica as the gate dielectric. Subthreshold swing of 110 mV/dec and carrier mobility improvement are achieved. The ultra-thin mica retains its surface flatness, indicating the potential application for low-dimensional materials in which surface roughness scattering is significant.

บรรณานุกรม :
Low, Chong Guan , Zhang, Qing . (2555). Ultra-thin and flat mica as gate dielectric layers.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Low, Chong Guan , Zhang, Qing . 2555. "Ultra-thin and flat mica as gate dielectric layers".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Low, Chong Guan , Zhang, Qing . "Ultra-thin and flat mica as gate dielectric layers."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print.
Low, Chong Guan , Zhang, Qing . Ultra-thin and flat mica as gate dielectric layers. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.