| ชื่อเรื่อง | : | Modeling of lateral charge transfer in Si nanocrystals in SiO2 thin film |
| นักวิจัย | : | Yu, Q. , Liu, Y. , Chen, Tupei , Yu, Y. F. , Wong, J. I. , Yang, M. |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2555 |
| อ้างอิง | : | Yu, Q., Liu, Y., Chen, T., Yu, Y. F., Wong, J. I., & Yang, M. (2012). Modeling of lateral charge transfer in Si nanocrystals in SiO2 thin film. Journal of applied physics, 111(7). , 0021-8979 , http://hdl.handle.net/10220/9148 , http://dx.doi.org/10.1063/1.3701577 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Journal of applied physics |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | In this work, lateral charge diffusion in Si nanocrystal (nc-Si) layer embedded in a SiO2 thin film has been simulated with Silvaco-TCAD tool by monitoring the influence of the charging of the nanocrystal in one metal-oxide-semiconductor structure on its neighboring devices. With the existence of the nc-Si layer in the spacing regions between the charged device and a neighboring device, a flatband voltage shift can be observed in the neighboring device after a charging operation on the charged device. The phenomena are explained in terms of the lateral charge diffusion in the nc-Si layer. The lateral charge diffusion can cause the interference among the neighboring devices. |
| บรรณานุกรม | : |
Yu, Q. , Liu, Y. , Chen, Tupei , Yu, Y. F. , Wong, J. I. , Yang, M. . (2555). Modeling of lateral charge transfer in Si nanocrystals in SiO2 thin film.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yu, Q. , Liu, Y. , Chen, Tupei , Yu, Y. F. , Wong, J. I. , Yang, M. . 2555. "Modeling of lateral charge transfer in Si nanocrystals in SiO2 thin film".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Yu, Q. , Liu, Y. , Chen, Tupei , Yu, Y. F. , Wong, J. I. , Yang, M. . "Modeling of lateral charge transfer in Si nanocrystals in SiO2 thin film."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print. Yu, Q. , Liu, Y. , Chen, Tupei , Yu, Y. F. , Wong, J. I. , Yang, M. . Modeling of lateral charge transfer in Si nanocrystals in SiO2 thin film. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
