| ชื่อเรื่อง | : | Lu2O3/Al2O3 gate dielectrics for germanium metal-oxide-semiconductor devices |
| นักวิจัย | : | Darmawan, P. , Chan, Mei Yin , Zhang, T. , Setiawan, Y. , Seng, H. L. , Chan, T. K. , Osipowicz, T. , Lee, Pooi See |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2551 |
| อ้างอิง | : | Darmawan, P., Chan, M. Y., Zhang, T., Setiawan, Y., Seng, H. L., Chan, T. K., et al. (2008). Lu2O3/Al2O3 gate dielectrics for germanium metal-oxide semiconductor devices. Applied physics letters, 93(6). , http://hdl.handle.net/10220/8038 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2970036 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Applied physics letters |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Effect of Ge out diffusion into Lu2O3 /Al2O3 high-k dielectric stack was investigated. Increasing Ge signal intensity with increasing annealing temperature was observed, which suggests that there may be excessive Ge incorporation into the high-k film. The electrical measurement shows an improvement of the k value with annealing temperature, as well as an increasing trend in the leakage current density suggesting degradation in electrical performance due to Ge incorporation. Our work suggests that 8.8 at. % of Ge in the film is excessive and result in degradation of the electrical performance of the device due to the increased leakage current. |
| บรรณานุกรม | : |
Darmawan, P. , Chan, Mei Yin , Zhang, T. , Setiawan, Y. , Seng, H. L. , Chan, T. K. , Osipowicz, T. , Lee, Pooi See . (2551). Lu2O3/Al2O3 gate dielectrics for germanium metal-oxide-semiconductor devices.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Darmawan, P. , Chan, Mei Yin , Zhang, T. , Setiawan, Y. , Seng, H. L. , Chan, T. K. , Osipowicz, T. , Lee, Pooi See . 2551. "Lu2O3/Al2O3 gate dielectrics for germanium metal-oxide-semiconductor devices".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Darmawan, P. , Chan, Mei Yin , Zhang, T. , Setiawan, Y. , Seng, H. L. , Chan, T. K. , Osipowicz, T. , Lee, Pooi See . "Lu2O3/Al2O3 gate dielectrics for germanium metal-oxide-semiconductor devices."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2551. Print. Darmawan, P. , Chan, Mei Yin , Zhang, T. , Setiawan, Y. , Seng, H. L. , Chan, T. K. , Osipowicz, T. , Lee, Pooi See . Lu2O3/Al2O3 gate dielectrics for germanium metal-oxide-semiconductor devices. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2551.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
