| ชื่อเรื่อง | : | High frequency drain current noise modeling in MOSFETs under sub-threshold condition |
| นักวิจัย | : | Chan, Lye Hock , Yeo, Kiat Seng , Chew, Kok Wai Johnny , Ong, Shih Ni , Loo, Xi Sung , Boon, Chirn Chye , Do, Manh Anh |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering. |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2552 |
| อ้างอิง | : | Chan, L. H., Yeo, K. S., Chew, K. W. J., Ong, S. N., Loo, X. S., Boon, C. C., & Do, M. A.(2009). Integrated Circuits, ISIC '09. In Proceedings of the 2009 12th International Symposium (pp.310-313) , http://hdl.handle.net/10220/6282 , http://ieeexplore.ieee.org.ezlibproxy1.ntu.edu.sg/search/srchabstract.jsp?tp=&arnumber=5403709&queryText%3DHigh+Frequency+Drain+Current+Noise+Modeling+in+MOSFETs+under+Sub-Threshold+Condition%26openedRefinements%3D*%26searchField%3DSearch+All , http://www.isic2009.org/ |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | A new high frequency drain current noise model was developed for MOSFETs under sub-threshold condition. A simple parameter extraction technique is proposed, which utilizes Y-parameter analysis on the RF small-signal equivalent circuit. Good agreement has been obtained between the predicted and measured results up to 20 GHz. |
| บรรณานุกรม | : |
Chan, Lye Hock , Yeo, Kiat Seng , Chew, Kok Wai Johnny , Ong, Shih Ni , Loo, Xi Sung , Boon, Chirn Chye , Do, Manh Anh . (2552). High frequency drain current noise modeling in MOSFETs under sub-threshold condition.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Chan, Lye Hock , Yeo, Kiat Seng , Chew, Kok Wai Johnny , Ong, Shih Ni , Loo, Xi Sung , Boon, Chirn Chye , Do, Manh Anh . 2552. "High frequency drain current noise modeling in MOSFETs under sub-threshold condition".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Chan, Lye Hock , Yeo, Kiat Seng , Chew, Kok Wai Johnny , Ong, Shih Ni , Loo, Xi Sung , Boon, Chirn Chye , Do, Manh Anh . "High frequency drain current noise modeling in MOSFETs under sub-threshold condition."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2552. Print. Chan, Lye Hock , Yeo, Kiat Seng , Chew, Kok Wai Johnny , Ong, Shih Ni , Loo, Xi Sung , Boon, Chirn Chye , Do, Manh Anh . High frequency drain current noise modeling in MOSFETs under sub-threshold condition. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2552.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
