Stacking fault band structure in 4H–SiC and its impact on electronic devices

ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Stacking fault band structure in 4H–SiC and its impact on electronic devices

หน่วยงาน คลังปัญญา มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง	:	Stacking fault band structure in 4H–SiC and its impact on electronic devices
นักวิจัย	:	Miao, M.S.
คำค้น	:	electronic devices , Stacking fault band structure , 4H–SiC , its impact
หน่วยงาน	:	คลังปัญญา มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี
ผู้ร่วมงาน	:	-
ปีพิมพ์	:	2544
อ้างอิง	:	Applied Physics Letters 79(26) p:4360-4362 , http://sutir.sut.ac.th:8080/sutir/handle/123456789/2125
ที่มา	:	-
ความเชี่ยวชาญ	:	-
ความสัมพันธ์	:	-
ขอบเขตของเนื้อหา	:	-
บทคัดย่อ/คำอธิบาย	:	-
บรรณานุกรม	:	APA Chicago MLA Vancouver Miao, M.S. . (2544). Stacking fault band structure in 4H–SiC and its impact on electronic devices. นครราชสีมา : คลังปัญญา มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี. Miao, M.S. . 2544. "Stacking fault band structure in 4H–SiC and its impact on electronic devices". นครราชสีมา : คลังปัญญา มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี. Miao, M.S. . "Stacking fault band structure in 4H–SiC and its impact on electronic devices." นครราชสีมา : คลังปัญญา มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี, 2544. Print. Miao, M.S. . Stacking fault band structure in 4H–SiC and its impact on electronic devices. นครราชสีมา : คลังปัญญา มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีสุรนารี; 2544.