กระบวนการ angle resolved photoemission จะถูกนำมาใช้ศึกษาสภาพพื้นผิว ของโลหะ Cr(100) บริสุทธิ์ และพื้นผิวที่มีการดูดซับก๊าซออกซิเจน พื้นผิวชิ้น โลหะตัวอย่างที่ดูดซับก๊าซออกซิเจนมีโครงสร้างเป็นแบบ p(1x1)O/Cr(100) และ c(2x2)O/Cr(100) การทดลองใช้แสงซินโครตรอนและรังสีอัลตราไวโอเลตจาก หลอดฮีเลียมเป็นแหล่งต้นแสงกระตุ้น ในรายงานของการวิจัยครั้งนี้ประกอบด้วย ความรู้พื้นฐานของการศึกษา กระบวนการและวิธีการทดลอง การเตรียมสารตัวอย่างและ อุปกรณ์การทดลอง รวมถึงการอธิบายกระบวนการ เปลี่ยนแปลงของแถบเส้นพลังงาน EDCs หลังการดูดซับก๊าซออกซิเจน ข้อมูลจากการทดลองจะนำมาวิเคราะห์เพื่อหาแถบ พลังงานของ constant-initial-state จากการทดลองพบว่าอิเล็กตรอนถูกกระตุ้น ขึ้นไปในชั้นพลังงาน 3p-3d resonance excitation ของ delayed 3d-core excitation ค่าความเข้มของ 3d-photoemission ที่ขึ้นอยู่กับค่ามุมตกกระทบ ของแสงกระตุ้นถูกนำมาศึกษาทั้งด้านผลการทดลองและทางทฤษฎี ผลของการทดลองจะนำมา ใช้ศึกษา parity selection rule และผลจากการคำนวณ parity selection rule เชิงทฤษฎีถูกนำมาใช้ในการวิเคราะห์ แถบพลังงานที่ได้จากการทดลอง ในช่วง สุดท้ายของการศึกษาครั้งนี้ได้นำเสนอค่า energy band mapping และเส้นกราฟ พลังงาน E-k ของพื้นผิวโลหะ Cr(100) บริสุทธิ์ และพื้นผิวดูดกลืนออกซิเจน p(1x1)O/Cr(100) การเปรียบเทียบระหว่างผลการทดลองและการคำนวณทางทฤษฎีให้ผล สอดคล้องเป็นที่น่าพอใจ สถานระดับพลังงานของอิเล็กตรอนของพื้นผิวที่ดูดซับ ก๊าซออกซิเจนถูกเปลี่ยนแปลงไปเมื่อเทียบกับพื้นผิวบริสุทธิ์ ลักษณะของแถบ พลังงานที่ได้สามารถบรรยายลักษณะสภาพของพื้นผิว และมีการศึกษาสถานะพลังงานของ อิเล็กตรอนของผิวรอยต่อ O-Cr อีกด้วย