วิทยานิพนธ์ฉบับนี้เสนอการประดิษฐ์หัววัดก๊าซเซนเซอร์ของฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ โดยมุ่งพัฒนาและวิจัยหาเงื่อนไขในการประดิษฐ์หัววัดก๊าซที่มีความไวในการตรวจสอบก๊าช และความจำเพาะของก๊าซที่หัววัดก๊าซสามารถตอบสนองได้ การสร้างฟิล์มซิงค์ออกไซด์ (ZnO) โดยวิธีการสปัตเตอร์ริงในบรรยากาศก๊าซผสมอาร์กอน-ออกซิเจน อัตราส่วน 85:15 ฟิล์มบางที่ได้จะถูกนำมาวิเคราะห์ด้วยเครื่องอิเล็กตรอน ไมโครสโคป เอกซ์เรย์ ดิฟแฟกชั่น สเปกตรัม และวัดสภาพต้านทานผิวของฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ฟิล์มบางซิงค์ ออกไซด์ที่ได้เมื่อนำมาทำการแอนนีลที่อุณหภูมิ 600 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 ชั่วโมง จากการทดลองพบว่าฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ที่ได้จะมีลักษณะโครงผลึกตั้งฉากกับพื้นผิว (C-axis) จะสามารถนำไปตรวจจับก๊าซแอมโมเนียความเข้มข้น 10% โดยปริมาตร ที่อุณหภูมิ การทำงาน 350 องศาเซลเซียส โดยให้ความไวสูงสุดโดยฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์บริสุทธิ์ มีความไวประมาณ 55 เปอร์เซ็นต์ มีค่าเวลาการตอบสนองต่อก๊าซ 30 วินาที ใช้เวลาการ คืนสภาพ 80 วินาที อีกทั้งทำการศึกษาการลดระยะเวลาการตรวจจับของหัววัดก๊าซโดย การเติม อลูมิเนียม, พลาลาเดียม และ แพลทินัม กับฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ผ่านการ ซินเตอร์ริงที่อุณหภูมิ 600 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 30 นาที ให้ผลต่อการตอบสนอง ก๊าซแอมโมเนียที่แตกต่างกันของสารที่นำมาเติมสารคะตะไลต์ AI มีความไวประมาณ 83 เปอร์เซ็นต์ ใช้เวลาในการตอบสนองก๊าซ 10 วินาที ใช้เวลาการคืนสภาพ 50 วินาที ส่วนการเติมสารคะตะไลต์ Pd มีความไวประมาณ 76 เปอร์เซ็นต์ ใช้เวลาในการตอบสนองก๊าซ 20 วินาที ใช้เวลาการคืนสภาพ 60 วินาที และการเติมสารคะตะไลด์ Pt มีความไวประมาณ 63 เปอร์เซ็นต์ ใช้เวลาในการตอบสนองก๊าซ 20 วินาที ใช้เวลาการคืนสภาพ 70 วินาที