การสังเคราะห์สารกึ่งตัวนำเพชรด้วยเทคนิค Hot Filament Chemical Deposition (HFCVD) เป็นการพยายามสร้างฟิล์มเพชร เพื่อนำไปประยุกต์ใช้งานทางอิเล็กทรอนิกส์ต่าง ๆ หากแต่เมื่อพิจารณา ถึงโครงสร้างของชั้นฟิล์มสารกึ่งตัวนำที่สังเคราะห์ได้ เกิดจากการเชื่อม ต่อกันของผลึกเพชร ซึ่งคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่ได้ย่อมมาจากคุณสมบัติของ แต่ละผนึกด้วย ในการวิจัยครั้งนี้จึงทำการพัฒนาเทคนิค HFCVO ให้สามารถ สร้างผลึกเพชรเดี่ยว ๆ ขึ้นมา โดยอาศัยหลักความหนาแน่นของการนิวคลี เอชันและอัตราการโตซึ่งแตกต่างกันบนฐานรองต่างชนิดกัน โดยเลือกใช้ ฐานของ 4 ชนิด คือ ซิลิกอนที่มีการเตรียมพื้นผิวซิลิกอนขัดมัน ทองแดง และโมลิบตินัมแล้วเลือกฐานรอง 2 ชนิด มาใช้ในการสังเคราะห์เพื่อลด การรบกวนจากผลึกข้างเคียงเมื่อใช้ฐานรองซิลิกอนจากเดิมเพียงชนิดเดียว นำผลึกที่ได้ไปปรับปรุงคุณภาพด้วยเทคนิคการแอนนีล ซึ่งจากการทดลองพบว่า ซิลิกอนขัดมันและโมลิบดินัมเป็นฐานรองที่เหมาะสมในการสังเคราะห์ และ ผลึกเพชรสังเคราะห์ที่ได้จะมีคุณภาพสูงสุดเมื่อแอนนีลในบรรยากาศของแก๊ส ไฮโดรเจนที่อุณหภูมิ 900 องศาเซลเซียล เป็นเวลา 9 นาที จากการ วิเคราะห์ผลึกเพชรที่มีขนาดใหญ่ขึ้นตามเวลาในการสังเคราะห์ที่มากขึ้น ด้วยรามานสเปกโตรสโคปีพบว่าสเปกตรัมของรามานที่ตำแหน่ง 1,332 cn- มีความเข้มสูงสุดโดยไม่พบพีกของคาร์บอนโครงสร้างอื่น เมื่อ วิเคราะห์ด้วยเทคนิคการถ่ายภาพ SEM พบว่าผลึกเพชรที่ใช้เวลาในการ สังเคราะห์ 19 ชั่วโมง มีขนาดใหญ่ 620(+,m)m และ เมื่อนำผลึกเพชร ที่ได้ไปวัดคุณลักษณะของกระแสกับแรงดันเทียบกับอุณหภูมิพบว่าผลึกเพชร สังเคราะห์สามารถทำงานได้ที่อุณหภูมิถึงประมาณ 280 องศาเซลเซียส