ในการสร้างไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ไม่ว่าจะเป็นลักษณะ ที่เป็นตัวเดี่ยวๆ หรือในลักษณะของวงจรรวม พารามิเตอร์ ที่จะกำหนดคุณสมบัติของทรานซิสเตอร์ก็คือ ความหนาแน่นของ สารเจือในส่วนต่างๆ ตลอดจนลักษณะทางเรขาคณิตของส่วนนั้นๆ ซึ่งในการออกแบบเพื่อสร้างไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์จะต้อง คำนึงถึงข้อจำกัดต่างๆ หลายประการ ทั้งในส่วนของทฤษฎีและ ข้อจำกัดในขบวนการสร้าง วิทยานิพนธ์ฉบับนี้จะได้เสนอการศึกษา การทดลองออกแบบ และควบคุมพารามิเตอร์ต่างๆ ของไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ทั้ง ในขบวนการสร้างและวิธีการอย่างอื่น เช่น การเติมอะตอมของ ทองคำ และการใช้ช็อตคีย์ไดโอดแคล้มป์ รวมถึงการทดลองออกแบบ และสร้างไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ชนิดอื่นๆ คือ โพโต้ทรานซิสเตอร์ และสวิทชั่งทรานซิสเตอร์ นอกจากนี้ยังได้ศึกษาและทดลอง เพิ่มเติมเกี่ยวกับการออกแบบ และสร้างทรานซิสเตอร์ใน ลักษณะโครงสร้างแบบวงจรรวม เช่น มัลติอิมิตเตอร์ทรานซิสเตอร์ เมิร์จทรานซิสเตอร์ และพลานาร์เอสซีอาร์ เป็นต้น อนึ่ง สำหรับวิธีการและเทคนิคการวัดพารามิเตอร์ต่างๆ ของ ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์นั้นก็ได้นำเสนอในที่นี้ด้วย ข้อมูลการออกแบบ การสร้าง การวัด การทดลอง และผลการ ทดลองจากการศึกษาครั้งนี้ จะเป็นประโยชน์อย่างมากสำหรับการ ออกแบบและสร้างไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ทั้งที่เป็นตัวเดี่ยวๆ และเป็นวงจรรรวมในโอกาสต่อไป