ผู้วิจัยใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนชนิดส่งผ่าน (TEM) ตรวจสอบและวิเคราะห์สมบัติเชิงโครงสร้างในระดับไมโคร/นาโนของฟิล์มบางแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) ที่ปลูกผลึกลงบนแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) ซับสเตรตที่มีผิวระนาบ (001) โดยวิธีเมทอลออแกลนิกเวปเปอร์เพสเอพิแทกซี (MOVPE) บ่งชี้ว่า ฟิล์มบาง GaN ที่เตรียมได้มีโครงสร้างแบบซิทค์เบลนด์หรือเรียกว่า โครงสร้างผลึกแบบคิวบิก (cubic structure GaN, c-GaN) นอกจากนี้ภาพไมโครกราฟชนิดภาคตัดขวางและผลจาก ED ของ TEM แสดงให้เห็นว่า ฟิล์มบาง GaN ที่ปลูกผลึกในช่วงอุณหภูมิต่ำ (900-920 องศาเซลเซียส) มีแถบของความบกพร่องชนิดสแตกกิงฟอลท์และทวินซึ่งวางตัวอยู่บนระนาบ (111) โดยที่ความหนาแน่นของสแตกกิงฟอลท์และทวินมีปริมาณลดลงที่บริเวณที่ห่างจากผิวรอยต่อระหว่าง GaN และ GaAs จากการวิเคราะห์โครงสร้างผลึกไม่พบการก่อเกิดของโครงสร้างผลึกแบบเฮกซะโกนัล ในฟิล์มบางที่ถูกปลูกผลึกที่อุณหภูมิต่ำในทางตรงกันข้ามผลการแทรกสอดของคลื่นเลี้ยวเบนจากบริเวณที่เลือก (SAD) ของ TEM, XRDและโฟโตลูมิเนสเซนซ์ พบว่า ฟิล์มบาง GaN ที่ถูกเตรียมภายใต้สภาวะที่อุณหภูมิในการปลูกผลึกสูงขึ้นประมาณ 960 องศาเซลเซียส แสดงการเปลี่ยนโครงสร้างเดี่ยวแบบคิวบิกไปเป็นโครงสร้างผสมระหว่างคิวบิกและเฮกซะโกนัล (~ih~i-GaN) นอกจากนี้ยังตรวจพบว่าคุณลักษณะการเรืองแสงของฟิล์มบาง GaN ไวต่อการเกิดโครงสร้างเดี่ยวของ ~ih~iGaN งานวิจัยนี้ได้แสดงให้เห็นว่าอุณหภูมิในการปลูกผลึกและการก่อเกิดของระนาบ (111) บนผิวหน้าของชั้น ~ic~i-GaN และที่ผิวรอยต่อระหว่างชั้น ~ic~i-GaN และ GaAs ซับสเตรต มีบทบาทสำคัญในการปลูกผลึกฟิล์มบาง~ic~i-GaN ให้มีความบริสุทธิ์สูงปราศจากความบกพร่องเชิงระนาบและการก่อเกิดของโครงสร้างเดี่ยวของ ~ih~i-GaN ในฟิล์มบาง ~ic~i-GaN