วิทยานิพนธ์นี้เป็นการศึกษาการประเมินอายุของไอซีโดยการทดสอบเร่ง ซึ่งเป็นวิธีการทดสอบเพื่อเร่งให้ไอซีเกิดความล้มเหลวขึ้นโดยการเพิ่มความเค้น (Stress)จากนั้นจึงนำข้อมูลช่วงเวลาก่อนล้มเหลว (Time-to-failure Data) ที่ได้จากการทดสอบเร่งไปประเมินอายุของไอซีที่สภาวะการใช้งานปกติโดยอาศัยทฤษฎีทางสถิติและแบบจำลองทางคณิตศาสตร์ที่เหมาะสม นอกจากนั้นข้อมูลที่ได้จากการทดสอบยังเป็นประโยชน์ในการอธิบายลักษณะต่าง ๆ ที่เกี่ยวกับคุณภาพได้อีกด้วย เช่น การประเมินอัตราการเกิดความล้มเหลว (Failure Rate) เป็นต้น ความเค้นที่นำมาทดสอบ คือ อุณหภูมิและแรงดันไอซีที่ใช้ทดสอบเป็นไอซีประเภทหน่วยความจำแบบแฟลช (Flash Memory) ซึ่งมีเทคโนโลยีการผลิตเป็นแบบ CMOS มีการห่อหุ้มแบบ TSOP (Thin Small Outline Package) จำนวนตัวอย่างที่ใช้ในการทดสอบแต่ละครั้งมีจำนวน 50 ตัวอย่าง โดยทำการทดสอบทั้งสิ้น 56 ครั้ง การทดสอบสามารถประเมินอายุเฉลี่ยของไอซีได้ 187,790 ชั่วโมง (ประมาณ 21 ปี)โดยพิจารณาข้อมูลจากลักษณะความล้มเหลวชนิดเดียว (Single Failure Mode) และกำหนดให้ลักษณะความล้มเหลวที่เกี่ยวเนื่องกับความเร็วในการอ่านข้อมูล เป็นเกณฑ์การกำหนดอายุเฉลี่ย (Mean Life)