ผลึกเดี่ยวสารกึ่งตัวนำ CuIn(,3)Se(,5) ปลูกจากสภาวะหลอมเหลว โดยวิธีแข็งตัวตามแนวทางของบริดจ์แมน-สโตคบาร์เกอร์แบบแนวนอน จากการศึกษาโครงสร้างผลึกโดยวิธี X-ray diffraction ระนาบบริเวณผิวหน้าเปิดเป็นระนาบ (112) สำหรับ ordered vacancy compound (OVC) และระนาบ(0012) สำหรับ layer structure compound ค่าคงที่แลตทิชมีค่า a =5.7625 (1,195) c = 11.5575 (1,195) สำหรับ OVC และ a = 12.1774 (1,195),c = 46.2016 (1,195) สำหรับ layer structure compound จากการวิเคราะห์สัดส่วนอะตอมโดยวิธี energy-dispersive spectrometers พบว่าค่าปริมาณCu มีแนวโน้มลดลง และปริมาณ In มีแนวโน้มเพิ่มขึ้นจากปลายจุดที่เย็นก่อนไปยังปลายจุดที่เย็นหลัง จากการวัดสภาพต้านทานไฟฟ้าที่อุณหภูมิห้องโดยวิธีแวนเดอเพาว์ พบว่าสภาพต้านทานไฟฟ้าของผลึกมีค่ามากกว่า 500 ohm-cm สำหรับ OVC และประมาณ5.7 ohm-cm สำหรับ layer structure compound จากการวัดปรากฏการณ์ฮอลล์ที่อุณหภูมิห้องพบว่า สภาพเคลื่อนที่ได้ของฮอลล์ที่อุณหภูมิห้อง มีค่าระหว่าง4.45 ถึง 52.51 cm('2)V('-1)S('-1) และผลึกที่ได้มีชนิดการนำไฟฟ้าเป็นทั้งชนิดพีและ ชนิดเอ็น ด้วยการวัดปรากฏการณ์ฮอลล์ จาก 11-300 K ของผลึกตัวอย่างหนึ่งซึ่งเป็นส่วนที่เย็นทีหลังและมีโครงสร้างเป็นแบบ layer structure พบว่าสภาพต้านทานไฟฟ้าลดลงในขณะที่สภาพเคลื่อนที่ได้ของฮอลล์เพิ่มขึ้นเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้น แต่ความสัมพันธ์ระหว่างความหนาแน่นพาหะกับอุณหภูมิมีค่าประมาณ 10('16)cm('-3) ซึ่งไม่เปลี่ยนแปลงมากนัก ซึ่งแสดงสมบัติเป็นสารกึ่งโลหะ