ได้เตรียมและศึกษากระบวนการการนำไฟฟ้าของฟิล์มบาง CdS ที่เตรียมโดยวิธีการอาบเคลือบสารเคมีฟิล์มบาง CdS ที่เตรียมขึ้นอยู่ในรูปของโครงสร้าง Au/CdS/Au Au/CdS/ZnO(Al) Mo/CdS/AU Mo/CdS/ZnO(Al) Cu(In,Ga)Se(,2)/CdS/Au และCu(In,Ga)Se(,2)/CdS/ZnO(Al) ผลจากการวัดลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ไฟฟ้าที่อุณหภูมิห้องของโครงสร้างทั้ง 6 แบบดังกล่าวนี้ พบว่ากระบวนการการนำไฟฟ้าผ่านฟิล์มบาง CdS และรอยต่อที่เกี่ยวข้องของโครงสร้าง Au/CdS/Au Au/CdS/ZnO(Al) และMo/Cds/Au มีรูปแบบการนำไฟฟ้าแบบโอห์มมิก สำหรับโครงสร้าง Mo/CdS/ZnO(Al)ลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ไฟฟ้ามีทั้งที่เป็นแบบโอห์มมิกและไม่เป็นโอห์มมิก(Non-Ohmic) สำหรับโครงสร้าง Cu(In,Ga)Se(,2)/CdS/Au และ Cu(In,Ga)Se(,2)/CdS/ZnO(Al) ลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ไฟฟ้าเป็นแบบ Rectifyingอย่างชัดเจน กล่าวคือโครงสร้างของสิ่งประดิษฐ์ทั้งสองแบบมีลักษณะเป็นไดโอดจากการวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ไฟฟ้าของโครงสร้างทั้งหมดสามารถสรุปได้ว่า กระบวนการการนำไฟฟ้าผ่านฟิล์มบาง CdS ในแนวตั้งฉากกับฟิล์มเป็นการนำไฟฟ้าแบบโอห์มมิก การนำไฟฟ้าผ่านรอยต่อ Au/CdS ก็เป็นแบบโอห์มมิกอย่างเด่นชัดเช่นเดียวกัน ในขณะที่การนำไฟฟ้าผ่านรอยต่อ Mo/CdS และCdS/ZnO(Al) เป็นแบบ Non-Ohmic และรอยต่อ Cu(In,Ga)Se(,2)/CdS เป็นแบบRectifying ผลการวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ไฟฟ้าของทั้งสามโครงสร้างร่วมกัน สามารถนำมาเขียนลักษณะแถบพลังงานที่น่าจะเป็นไปได้สำหรับโครงสร้างที่ประกอบด้วยฟิล์มบางของ CdS และรอยต่อที่เกี่ยวข้อง กล่าวโดยสรุปค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าของฟิล์มบาง CdS ที่วัดในแนวตั้งฉากมีค่าอยู่ในช่วง 10('2)- 10('3)(+,W)- cm) และมีรูปแบบการนำไฟฟ้าแบบโอห์มมิก ในขณะที่ค่าสภาพต้านทานไฟฟ้าที่วัดในแนวระนาบจะมีค่าประมาณ 10('6)(+,W)- cm) สมบัติของฟิล์มบางCdS ที่ได้จะขึ้นกับตัวแปรต่าง ๆ ที่ใช้ในขั้นตอนการเตรียมฟิล์มบางอย่างมาก