ประยุกต์วิธีการผสมระหว่างบ่อศักย์ควอนตัม (GWl) กับโครงสร้างบ่อศักย์ (QW)lnGaAs/lnP เป็นเรื่องสนใจมุ่งเน้นวิจัยจากมุมมองศักยภาพวงจรรวมด้านแสงสำหรับการสื่อสารทางไกล ในช่วงคลื่น 1.3-1.6(+,m)m ด้วยต้นทุนการผลิตต่ำ ในงานนี้ศึกษาถึงสองวิธีการของ QWl: QWl ฝังไอออนวิวิธของบ่อศักย์ และ QWlโดยการปลูกความบกพร่อง ทั้งสองวิธีมุ่งเน้นที่ความบกพร่องที่สร้างแบบคัดเลือกบริเวณในสารตัวอย่างเพื่อเพิ่มการแพร่สู่กันของวัสดุระหว่างกระบวนการอบด้วยความร้อนแบบรวดเร็วการศึกษาถึงความเหมาะสมของ QWl ในแต่ละวิธีการที่ขึ้นกับสองปัจจัยหลัก 1. ความสามารถคาดการณ์ถึงการเลื่อนของแถบพลังงานนำสู่การควบคุมสภาพการทดลองสำหรับวัสดุในวงกว้าง 2. คุณภาพด้านแสงของชั้นภายหลังการวิวิธบ่อศักย์ งานส่วนแรก เปรียบเทียบผลการวัดการดูดกลืนกับผลการคำนวณที่ได้จากแบบจำลอง ของวิวิธบ่อศักย์ การหาความต่างของระยะการแพร่ของอะตอมกลุ่ม V และกลุ่ม III (k=+,Dv/(+,D)III) ของk=4 เกิดจากแลตทิชคู่เหมาะสม (LM) และบ่อศักย์ความเครียดดึงผสมกับความบกพร่องจากการปลูกวิวิธบ่อศักย์ ขณะที่ k=(+,ฅ) พบใน LM สารตัวอย่างบ่อศักย์ผสม โดยฝังไอออนวิวิธบ่อศักย์ ข้อมูลนี้มีความสำคัญต่อการสร้างแบบจำลองเพื่อการคาดการณ์การเลื่อนแถบช่องว่าง ส่วนที่สองของงาน วัดช่วงอายุพาหะของสารตัวอย่างที่เตรียมและสารตัวอย่างที่แพร่ผสมแล้วที่อุณหภูมิต่างๆ กัน พบว่าช่วงอายุพาหะในสารตัวอย่างที่แพร่ผสมแล้วมีความไวต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิมากกว่า บ่งชี้ถึงการเกิดจุดบกพร่องการรวมตัวที่ไม่แปลงแสง