ได้เตรียมฟิล์มบาง Cu(ln,Ga)Se(,2) ด้วยวิธีเคลือบจากไอกายภาพที่ระเหยจากระบบระเหยธาตุ 4 แหล่ง บนแผ่นกระจกโซดาไลม์ที่เคลือบโมลิบดีนัมหนา 0.5-1.0 ไมครอนนำฟิล์มบาง Cu(ln,Ga)Se(,2) ที่เตรียมด้วยโปรไฟล์อุณหภูมิต่างๆ กันไปศึกษาลักษณะเฉพาะโดยการวัดโครงสร้างผลึกของฟิล์มด้วยวิธีการเลี้ยงเบนของรังสีเอกซ์ การตรวจสอบลักษณะผิวหน้าด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบสแกน หาองค์ประกอบของฟิล์มด้วยวิธี Energy-Dispersive X-Ray Spectrometry พบว่า ฟิล์มบาง Cu(ln,Ga)Se(,2) มีขนาดเกรนตั้งแต่เล็กถึงใหญ่ประมาณ 1.5 ไมครอน สัดส่วนองค์ประกอบของธาตุ 0.28 (+,ฃ)Cu/(In+Ga) (+,ฃ) 1.48 และ 0.11 (+,ฃ) Ga/(In+Ga) (+,ฃ) 0.79 โครงสร้างผลึกเป็นแบบชาลโคไพไรต์ มีค่าคงตัวแลตติช a = 5.6468-5.7716 A และ c = 11.430-11.704 A. สมบัติต่างๆ ของฟิล์มบาง Cu(ln,Ga)Se(,2) ขึ้นกับโปรไฟล์อุณหภูมิที่ใช้เตรียมอย่างมาก ได้ทดสอบฟิล์มบาง Cu(ln,Ga)Se(,2) โดยเตรียมให้เป็นเซลล์แสงอาทิตย์ มีโปรไฟล์อุณหภูมิที่ใช้ในการเตรียมดังนี้ Cu=1026(+,ฐ)C, In=725(+,ฐ)C,Ga=590(+,ฐ)C, Se=183(+,ฐ)C, t1=12 m และ t2=15 m จากการวัดลักษณะเฉพาะของกระแสและความต่างศักย์ของเซลล์แสงอาทิตย์ โครงสร้าง Ni(Al)Ni/ZnO(Al)/CdS/Cu(ln,Ga)Se(,2)Mo/SLG โดยวัดที่การฉายแสงมาตรฐาน AM 1.5 ความเข้ม 100 mW/cm('2)เซลล์ที่ดีที่สุดซึ่งมีพื้นที่ 0.46 cm('2) มีประสิทธิภาพการแปลงพลังงานแสงเป็นพลังงานไฟฟ้า 10.6% ความต่างศักย์วงจรเปิด 0.52 โวลต์ กระแสไฟฟ้าลัดวงจร 32.1 mA/cm('2)และฟิลแฟคเตอร์ 63.3%