| ชื่อเรื่อง | : | เส้นโค้งลักษณะเฉพาะที่ไบแอสต่ำของรอยต่อโลหะกับแกลเลียมอาร์เซไนด์ที่ถูกเจือปนอย่างมาก |
| นักวิจัย | : | ประธาน ศรีวิไล |
| คำค้น | : | HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS , FILED EMISSION , V-l CHARACTERISTIC , CONTACTRESISTANCE |
| หน่วยงาน | : | ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2542 |
| อ้างอิง | : | http://www.thaithesis.org/detail.php?id=1082542001324 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | เราได้คำนวณศักย์ที่เกิดขึ้นภายในรอยต่อระหว่างโลหะกับแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) ชนิดเอ็นที่ถูกเจือปนอย่างมากจากสมการของพัวซองโดยคำนึงถึงพาหะข้างมากร่วมด้วย ดังนั้นในกรณีที่สารกึ่งตัวนำถูกเจือปนอย่างมาก (ความหนาแน่นของผู้ให้มากกว่า 5X10('19) อะตอมต่อลูกบาศก์เซนติเมตร) สามารถประมาณได้ว่าศักย์จะลดลงแบบเอ็กซ์โพเนนเชียล จากนั้นเราจะคำนวณหาเส้นโค้งลักษณะส่อของความต่างศักย์กับกระแสและความต้านทานของรอยต่อภายใต้เงื่อนไขของฟิลด์อิมิสชันในกรณีที่ความสัมพันธ์ระหว่างโมเมนตัมและพลังงานเป็นแบบพาราโบลา นอกจากนั้นในกรณีที่การไบแอสมีค่าต่ำ เรายังได้พิจารณาถึงกรณีที่ความสัมพันธ์ดังกล่าวไม่เป็นแบบพาราโบลา โดยคำนวณความสัมพันธ์ดังกล่าวจากความหนาแน่นของสถานะของสารกึ่งตัวนำ สุดท้ายได้แสดงให้เห็นว่าสัมประสิทธิ์การทะลุผ่านของโลคอลไลซ์อิเล็กตรอนสามารถละทิ้งได้เมื่อเปรียบเทียบกับสัมประสิทธิ์การทะลุผ่านของดีโลคอลไลซ์อิเล็กตรอน |
| บรรณานุกรม | : |
ประธาน ศรีวิไล . (2542). เส้นโค้งลักษณะเฉพาะที่ไบแอสต่ำของรอยต่อโลหะกับแกลเลียมอาร์เซไนด์ที่ถูกเจือปนอย่างมาก.
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย. ประธาน ศรีวิไล . 2542. "เส้นโค้งลักษณะเฉพาะที่ไบแอสต่ำของรอยต่อโลหะกับแกลเลียมอาร์เซไนด์ที่ถูกเจือปนอย่างมาก".
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย. ประธาน ศรีวิไล . "เส้นโค้งลักษณะเฉพาะที่ไบแอสต่ำของรอยต่อโลหะกับแกลเลียมอาร์เซไนด์ที่ถูกเจือปนอย่างมาก."
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย, 2542. Print. ประธาน ศรีวิไล . เส้นโค้งลักษณะเฉพาะที่ไบแอสต่ำของรอยต่อโลหะกับแกลเลียมอาร์เซไนด์ที่ถูกเจือปนอย่างมาก. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย; 2542.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
