วิทยานิพนธ์ฉบับนี้ นำเสนอการศึกษาสเปกตรัมของการเปล่งแสงทางด้านข้างของโครงสร้างซิงเกิลควอนตัมเวลล์และมัลติเพิลควอนตัมเวลล์ของสารกึ่งตัวนำชนิดแกลเลียมอาร์เซไนด์/อะลูมิเนียมแกลเลียมอาร์เซไนด์ (ปริมาณอะลูมิเนียมต่อแกลเลียม 20%) และอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์/แกลเลียมอาร์เซไนด์ (ปริมาณอินเดียมต่อแกลเลียม 20%) เมื่อได้รับการกระตุ้นด้วยแสงอาร์กอนเลเซอร์ (ความยาวคลื่น 5140 A) โครงสร้างที่ใช้ในการทดลองสร้างขึ้นด้วยวิธีการปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุล จากการศึกษาและการทดลองพบว่า เมื่อโครงสร้างมัลติเพิลควอนตัมเวลล์ได้รับการกระตุ้นด้วยแสงที่มีความเข้มสูง มีแนวโน้มที่จะเปล่งแสงแบบถูกเร้า ซึ่งเป็นพื้นฐานของการเกิดแสงเลเซอร์ โดยแสงที่เปล่งจากโครงสร้างมัลติเพิลควอนตัมเวลล์ของสารกึ่งตัวนำชนิดแกลเลียมอาร์เซไนด์/อะลูมิเนียมแกลเลียมอาร์เซไนด์นั้น จะมีความเข้มเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วที่ความเข้มแสงที่ใช้ในการกระตุ้นประมาณ 4 กิโลวัตต์ต่อตารางเซนติเมตรและ 2.5 กิโลวัตต์ต่อตารางเซนติเมตร สำหรับโครงสร้าง 10มัลติเพิลควอนตัมเวลล์และ 5 มัลติเพิลควอนตัมเวลล์ในโครงสร้างช่องนำคลื่น ตามลำดับ ส่วนแสงที่เปล่งจากโครงสร้าง 3 และ 5 มัลติเพิลควอนตัมเวลล์ของสารกึ่งตัวนำชนิดอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์/แกลเลียมอาร์เซไนด์ จะมีความเข้มเพิ่มขึ้นอย่างไม่เชิงเส้นแต่ไม่แสดงจุดเปลี่ยนแปลงที่ชัดเจน เนื่องจากมีการสูญเสียในชั้นกำเนิดแสง