งานวิจัยนี้เป็นการศึกษาปรากฎการณ์อิเล็กโทรไมเกรชันบนฟิล์มบางของหัวอ่านเขียนแบบแมกนีโทรีซีสทีฟสำหรับฮาร์ดดิสก์ไดร์ฟ และสร้างโมเดลสำหรับทำนายอายุการใช้งานและเวลาการประลัย วิธีการทดสอบและการยืนยันความถูกต้อง ผลิตภัณฑ์ที่ใช้ในการทดลอง คือหัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซีสทีฟแบบ A และแบบ B กราฟของการทำนายอายุการใช้งานได้จากการใช้แนวทางของโมเดลอาร์ฮีเนียส ซึ่งได้จากการใช้วิธีการวิเคราะห์ความถดถอยบนข้อมูลที่ได้จากการทดสอบ ผลการทดสอบได้โมเดลอายุการใช้งานโดยมีค่า activation energy เท่ากับ 0.66851 eV สำหรับหัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซีสทีฟแบบ A และ 0.76174 ev สำหรับหัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซีสทีฟแบบ Bโมเดลนี้นำไปคำนวณค่าความต้านทานสูงสุดของแมกนีโทรีซิสทีฟ และค่าความสูงต่ำสุดของสไตรป์ของหัวอ่านเขียนแมกนีโทรีซีสทีฟสำหรับอายุการใช้งาน 5 ปี ที่ 12.5,17, 25, 50 และ 100% duty cycle หัวอ่านแมกนีโทรีซีสทีฟที่ผ่านการทดสอบอิเล็กโทรไมเกรชันและเกิดการประลัยได้ถูกนำมาวิเคราะห์หาสาเหตุการประลัยด้วยเทคนิคการวิเคราะห์การประลัยหลายวิธีเช่น Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM), EnergyDispersive Spectrometer (EDS), Focused Ion Beam (FIB) และ ScanningProbe Microscope (SPM) ผลการวิเคราะห์พบว่ามีการเกิดออกซิเดชันบนวัสดุเพอร์มัลลอย (Ni(,0.82) และ Fe(,0.18)) ของแมกนีโทรีซิสทีฟ และบริเวณชิลด์ทั้งสองที่อยู่รองบริเวณแมกนีโทรีซีสทีฟ และมีการตรวจพบโพรง (void) ที่เกิดขึ้นภายในแมกนีโทรีซีสทีฟ เนื่องจากอิเล็กโทรไมเกรชัน โดยการใช้เทคนิค FIB และ FESEM