งานวิจัยนี้มีจุดมุ่งหมายที่จะเตรียมฟิล์มไพโรอิเล็กทริกพอลิไวนิลิดีนฟลูออไรด์ (PVDF) จากแผ่น PVDF ธรรมดาโดยพัฒนาให้เป็นฟิล์มที่มีค่าสัมประสิทธิ์ไพโรอิเล็กทริก (p(,3))สูง และในการเตรียมนี้มีอัตราการสูญเสียของฟิล์มต่ำ จากนั้นนำไปใช้เป็นตัวรับรู้รังสีอินฟราเรด ในการวิจัยนี้ ได้เตรียมฟิล์ม PVDF โดยวิธีอัดเบ้าด้วยเครื่องอัดไฮดรอลิก ที่อุณหภูมิ 250 องศาเซลเซียสความดัน 500 N/cm('2) พบว่าถ้าหลอม PVDF มวล 3 gเป็นเวลา 5 นาที แล้วอัดอีก 5 นาที จะได้ฟิล์ม PVDF หนา140-200 (+,W)m การเตรียมฟิล์มไพโรอิเล็กทริก พบว่าถ้ายืดฟิล์ม 3.5-4 เท่า ในการจัดขั้วใช้สนามไฟฟ้า E(,p) =40-50 MV/m อุณหภูมิ T(,p) = 90 องศาเซลเซียส จะได้ฟิล์มมีค่า p(,3) อยู่ในช่วง 1.36x10('-5)-1.44x10('-5)C/m('2)K สภาวะการเตรียมนี้ทำให้ฟิล์มเกิดการสูญเสียในอัตราที่น้อยมาก พบว่า p(,3) จะสูงขึ้น ถ้า E(,p) และT(,p) ที่ใช้สูงขึ้น อิเล็กโทรดของตัวรับรู้รังสีอินฟราเรดเตรียมโดยทากาวเงินเจือจาง (silver paste) ลงบนฟิล์มทั้งสองข้าง และทำให้อิเล็กโทรดด้านซึ่งรับรังสีเป็นสีดำ พบว่าเมื่อมีคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้าความเข้มประมาณ 3.5 W/m('2) ตกกระทบฟิล์มซึ่งมีความต้านทาน 200 M(+,W) ต่อขนานฟิล์ม จะให้ V(,max) =35 mV ซึ่งเพียงพอที่จะนำไปกระตุ้นวงจรอิเล็กทรอนิกส์ให้ทำงานตามต้องการ ได้ใช้ฟิล์มนี้ในการพัฒนาเครื่องตรวจจับผู้บุกรุกเครื่องเตือนไฟไหม้ ซึ่งใช้งานได้ดี