ได้มีการเตรียมรอยต่อวิวิธพันธุ์ CulnSe(,2)/CdS เพื่อศึกษาลักษณะเฉพาะ ทางไฟฟ้าทั้งรอยต่อชนิดที่เตรียมขึ้นบนชิ้นผลึกเดี่ยวของ CulnSe(,2) และรอยต่อ ชนิดฟิล์มบาง อีกทั้งได้จัดสร้างระบบวัดลักษณะทางไฟฟ้าของรอยต่อซึ่งควบคุมและบันทึกผลด้วยคอมพิวเตอร์ เพื่อช่วยในการวัดและศึกษารอยต่อที่เตรียมขึ้น จากผลการศึกษา พบว่า รอยต่อที่เตรียมได้แสดงสมบัติการเรียงกระแสที่ดีใน เชิงของการเป็นไดโอด โดยให้ค่าของตัวแปรอุดมคติประมาณ 2.0 ที่ค่ากกระแสอิ่มตัวเท่ากับ 3.28 X 10('-7) A สำหรับรอยต่อชนิดที่เตรียมบนชิ้นผลึกเดี่ยว และประมาณ 1.41 x 10('-6) A สำหรับรอยต่อชนิดฟิล์มบาง และพบว่า รอยต่อที่เตรียมได้มีการตอบสนองต่อแสงในเชิงของการเป็นเซลล์แสงอาทิตย์ได้พอสมควร โดยให้ค่าประสิทธิภาพการแปลงพลังงานประมาณ 1.24 % ที่ค่ากระแสปิดวงจร 0.55 mA และที่ความต่างศักย์เปิดวงจร 215 mA จากลักษณะเฉพาะความจุไฟฟ้า-ความต่างศักย์ พบว่า ความต่างศักย์การแพร่มีค่าประมาณ 0.4-0.5 V และความเข้มข้นพาหะมีค่าประมาณ 10('16)cm('-1) ซึ่งใกล้เคียงกับค่าจากการวัดสภาพเคลื่อนที่ได้ของฮอลล์ อีกทั้งพบการปรากฏของสิ่งเจือปนระดับลึกในโครงสร้างรอยต่อ จากการศึกษาลักษณะเฉพาะกระแส-ความต่างศักย์ ที่อุณหภูมิต่าง ๆ ในช่วง 115-273 K พบว่า กลไกการขนส่งระหว่างรอยต่อสอดคล้องกับแบบจำลองการทะลุ ผ่าน-รวมตัว