ฟิล์มสีน้ำเงินของ mixed valent ruthenium oxide ruthenium cyanide (mvRuO-RuCN) ที่มีลักษณะเรียงตัวอัดแน่นปลูกขึ้นได้โดยการจุ่มอิเลกโทรดกลาส ซีคาร์บอนลงในสารละลายผสมของ K(,4)Ru(CN)(,6) and RuCl(,3) ในกรดซัลฟูริกที่ พีเอช 2 โดยป้อนศักย์ในช่วง -0.2 ถึง 1.2 V (vs. SCE) ด้วยเทคนิคไซคลิกโวลแทม เมตตรี ความหนาของฟิล์มขึ้นอยู่กับจำนวนรอบในการสแกนหลังกระบวนการโมดิฟายด์ ได้ศึกษาไซคลิกโวลแทมโมแกรมของฟิล์มในสารละลายอิเลกโตรไลด์ กรดพบพีกออกซิเดชัน ของรูธีเนียมออกไซด์ที่มีเลขออกซิเดชัน +3 และพีกรีดักชันของรูธีเนียมออกไซด์ ที่มีเลขออกซิเดชัน +4 จากการตรวจวัดเตตร้าซัยคลินด้วยเทคนิคแอมเพอโรเมตตรีโดย การป้อนศักย์คงที่ที่ 1.10 V (vs. SCE) ได้ความสัมพันธ์เชิงเส้นระหว่างกระแส ออกซิเดชันกับความเข้มข้นเตตร้าซัยคลินอยู่ในช่วง 0.1-1.7 ppm ในสารละลาย อิเลกโตรไลต์กรดซึ่งให้ความไวเท่ากับ 0.3148 A M(-1) สำหรับสารละลายอิเลกโตรไลต์ กรดผสมโพแทสเซียมไอออนจะอยู่ในช่วง 0.1-1.1 ppm และมีความไวเท่ากับ 0.2490 A M(-1) และค่าขีดจำกัดในการตรวจวัดเท่ากับ 0.59 ppm และ 0.03 ppm (S/N=2) สำหรับสารละลายอิเลกโตรไลต์ทั้งสอง ตามลำดับ นอกจากนี้ได้ทำการหาค่าสัมประสิทธิ์ การแพร่ของเตตร้าซัยคลินในสารละลาย (~iD~i(,A)(0) ) สัมประสิทธิ์การแพร่ของ อิเลกตรอนภายในฟิล์ม (~iD~i(,~iE~i) ค่าคงที่อัตราจลน์ (~ik~i) และอัตราการควบ คุมปฏิกิริยาที่ผิวหน้าอิเลกโทรดโดยเทคนิคแอมเพอโรเมตตรี ไซคลิกโวลแทมเมตตรี Rotation Disk และ Rotating Ring-Disk Voltammetry จากการศึกษาพบว่าสัญญาณ กระแสตอบสนองต่อการตรวจวัดเตตร้าซัยคลินไม่ขึ้นกับปริมาณเชิงพื้นที่ผิวของฟิล์ม จึงชี้ให้เห็นว่าปฏิกิริยาจะเกิดขึ้นเฉพาะที่บริเวณผิวหน้าของฟิล์มเท่านั้น และขั้นกำหนดปฏิกิริยาคือกระบวนการแพร่ของเตตร้าซัยคลินภายในฟิล์ม