| ชื่อเรื่อง | : | โครงการวิจัยการวิเคราะห์สเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ |
| นักวิจัย | : | เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล , มนตรี สวัสดิ์ศถุงฆาร , บรรยง โตประเสริฐพงศ์ , ยุทธนา กุลวิทิต |
| คำค้น | : | ซีมอส (อิเล็กทรอนิกส์) , แรงดันไฟฟ้า -- การวัด , ความจุไฟฟ้า -- การวัด , ตัวเก็บประจุไฟฟ้า , เครื่องมือวัดประจุ , เครื่องวัดไฟฟ้า , สารกึ่งตัวนำ , ตัวเก็บประจุไฟฟ้า |
| หน่วยงาน | : | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| ผู้ร่วมงาน | : | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์ |
| ปีพิมพ์ | : | 2530 |
| อ้างอิง | : | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/31196 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | จุดประสงค์ของโครงการวิจัยนี้ เพื่อศึกษาและวิเคราะห์ความหนาแน่นของสเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ โดยเฉพาะอย่างยิ่งของตัวเก็บประจุ MOS โดยการวัดลักษระสมบัติความจุไฟฟ้า-แรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บประจุ MOS ที่สร้างขึ้น การวัดความจุไฟฟ้า-แรงดันนี้จะทำบนระบบเครื่องมือวัดโดยอัตโนมัติที่ทำขึ้นมา ค่าความหนาแน่นของประจุระหว่างผิวและข้อมูลอื่น ๆ ที่เกี่ยวข้องจะถูกคำนวณมาจากเคิร์ฟความจุไฟฟ้าแรงดันที่วัดได้จากการทดลอง ค่าที่คำนวณได้เหล่านี้จะมีประโยชน์โดยเป็นข้อมูลป้อนกลับเข้าไปเพื่อปรับปรุงคุรภาพของตัวเก็บประจุ MOS ให้ดีขึ้น และยังเป็นประโยชน์ต่อการวิจัยและพัฒนาทรานซิสเตอร์ชนิด MOSFET บนสารซิลิกอนอีกด้วย |
| บรรณานุกรม | : |
เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล , มนตรี สวัสดิ์ศถุงฆาร , บรรยง โตประเสริฐพงศ์ , ยุทธนา กุลวิทิต . (2530). โครงการวิจัยการวิเคราะห์สเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ.
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล , มนตรี สวัสดิ์ศถุงฆาร , บรรยง โตประเสริฐพงศ์ , ยุทธนา กุลวิทิต . 2530. "โครงการวิจัยการวิเคราะห์สเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ".
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล , มนตรี สวัสดิ์ศถุงฆาร , บรรยง โตประเสริฐพงศ์ , ยุทธนา กุลวิทิต . "โครงการวิจัยการวิเคราะห์สเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ."
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2530. Print. เกรียงศักดิ์ เฉลิมติระกูล , มนตรี สวัสดิ์ศถุงฆาร , บรรยง โตประเสริฐพงศ์ , ยุทธนา กุลวิทิต . โครงการวิจัยการวิเคราะห์สเตทระหว่างผิวของสิ่งประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำ. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2530.
|
