| ชื่อเรื่อง | : | Polycrystalline Gan Layer On M-Plane Sapphire Substrate For Metal-Semiconductor-Metal Photodetector |
| นักวิจัย | : | Kamarulzaman, Azharul Ariff |
| คำค้น | : | QC501-766 Electricity and magnetism |
| หน่วยงาน | : | Universiti Sains Malaysia, Malaysia |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2560 |
| อ้างอิง | : | http://eprints.usm.my/47791/1/POLYCRYSTALLINE%20GaN%20LAYER%20ON%20M-PLANE.pdf%20cut.pdf , Kamarulzaman, Azharul Ariff (2017) Polycrystalline Gan Layer On M-Plane Sapphire Substrate For Metal-Semiconductor-Metal Photodetector. PhD thesis, Universiti Sains Malaysia. |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | http://eprints.usm.my/47791/ |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | This thesis describes work on depositing polycrystalline gallium nitride (GaN) on m-plane sapphire substrate using cost effective physical deposition technique; electron beam (e-beam) evaporator and radio frequency (RF) sputtering, followed by annealing treatment in ammonia (NH3) ambient. The work was then extended to develop metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector using the most possible metal/metal oxide contact, to increase the efficiency of the device. The initial part of this thesis focus on ameliorating the properties of the polycrystalline GaN layer by controlling gas ambient, time, temperature, and gas flow rate of the annealing treatment. |
| บรรณานุกรม | : |
Kamarulzaman, Azharul Ariff . (2560). Polycrystalline Gan Layer On M-Plane Sapphire Substrate For Metal-Semiconductor-Metal Photodetector.
กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia. Kamarulzaman, Azharul Ariff . 2560. "Polycrystalline Gan Layer On M-Plane Sapphire Substrate For Metal-Semiconductor-Metal Photodetector".
กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia. Kamarulzaman, Azharul Ariff . "Polycrystalline Gan Layer On M-Plane Sapphire Substrate For Metal-Semiconductor-Metal Photodetector."
กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia, 2560. Print. Kamarulzaman, Azharul Ariff . Polycrystalline Gan Layer On M-Plane Sapphire Substrate For Metal-Semiconductor-Metal Photodetector. กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia; 2560.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
