งานวิจัยนี้ได้ดำเนินการเตรียมวัสดุประกอบไร้สารตะกั่วเซรามิก-เซรามิกสำหรับประยุกต์ใช้งานที่อุณหภูมิสูง โดย ได้ทำการเตรียมผง และ เซรามิกเพียโซอิเล็กทริกไร้สารตะกั่วในระบบ BNT-BT BT BZT-BSn และ Sr2Nb2O7 จากนั้นทำการเตรียมวัสดุประกอบไร้สารตะกั่วเซรามิก-เซรามิก ในระบบ BNT-BT/SN และ BT-SN ผสมผงผลึกที่เตรียมได้เข้าด้วยกันในอัตราส่วน 98/2 95/5 90/10 80/20 70/30 และ 60/40 ด้วยการบดย่อยและอัดขึ้นรูปเป็นเซรามิกโดยใช้แท่นอัดแกนเดี่ยว โดยเซรามิกที่เตรียมได้ทำการตรวจสอบเฟส โครงสร้างผลึก สมบัติไดอิเล็กทริก สมบัติเฟอร์โรอิเล็กทริก สัญฐานวิทยา งานวิจัยพบว่า สำหรับการเตรียมเซรามิกไร้สารตะกั่ว สามารถเตรียมได้บริสุทธ์ทุกองค์ระกอบที่ศึกษา เซรามิกในระบบ BZT-yBSnโครงสร้างผลึก เปลี่ยนจากโครงสร้างผลึกเททระโกนอลไปเป็นโครงสร้างผลึกออโธรอมบิกและที่สัดส่วนองค์ประกอบ y = 0.04 พบว่ามีการอยู่ร่วมกันของโครงสร้างผลึกเททระโกนอลและออโธรอมบิก ซึ่งส่งผลทำให้สมบัติไดอิเล็กทริก เฟอร์โรอิเล็กทริกและเพียโซอิเล็กทริกเพิ่มขึ้น เช่น Pr max =11500 Pr =13.14 pC/cm2 d33* 1280 pm/V และ d33= 450 pC/N ดังนั้นจะเห็นได้ว่าเซรามิกระบบไตรภาค BT - ST yBS สามารถเป็นตัวเลือกนึงในวัสดุเพียโซอิเล็กทริกไร้สารตะกั่วที่สามารถใช้ทดแทนวัสดุเพียโซอิเล็กทริกที่มีตะกั่วเป็นองค์ประกอบได้ เซรามิกในระบบ BNT-BT แสดงสมบัติไดอิเล็กทริกที่ขึ้นกับความถี่ในช่วงอุณหภูมิต่ำกว่า 200 oC และ แสดงการเปลี่ยนเฟสที่อุณหภูมิ 275 oC งานวิจัยพบว่า เมื่อปริมาณ SN ไม่ได้เข้าไปเกิดสารละลายของแข็งกับเซรามิก BNT-BT สัญฐานวิทยาจาก SEM แสดงการกระจายตัวของ ทั้งสององค์ประกอบอย่างชัดเจน การเติม SN ส่งผลโดยตรงต่อสมบัติทางไฟฟ้าของวัสดุประกอบอย่างมีนัยสำคัญ อุณหภูมิการเปลี่ยนเฟสลดลง เมื่อเจือSN ปริมาณ 20 mol% และวัสดุประกอบสุญเสียสมบัติเฟอร์โรอิเล็กทริกเมื่อปริมาณ SN เพิ่มสูงขึ้น