| ชื่อเรื่อง | : | วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก |
| นักวิจัย | : | สุขุม อิสเสงี่ยม |
| คำค้น | : | แบเรี่ยมไอรอนไนโอเบต , เลดซิงค์ไนโอเบต , เพอรอพสไกด์ , วัสดุเพียโซอิเล็กตริก , อะตอม |
| หน่วยงาน | : | สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ |
| ผู้ร่วมงาน | : | ทวี ตันฆศิริ , กอบวุฒิ รุจิจนากุล |
| ปีพิมพ์ | : | 2552 |
| อ้างอิง | : | http://dric.nrct.go.th/Search/SearchDetail/226201 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | - |
| บรรณานุกรม | : |
สุขุม อิสเสงี่ยม . (2552). วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก.
กรุงเทพมหานคร : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่. สุขุม อิสเสงี่ยม . 2552. "วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก".
กรุงเทพมหานคร : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่. สุขุม อิสเสงี่ยม . "วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก."
กรุงเทพมหานคร : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่, 2552. Print. สุขุม อิสเสงี่ยม . วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก. กรุงเทพมหานคร : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่; 2552.
|
