| ชื่อเรื่อง | : | Electrical Characteristics And Thermal Stability Of Ti Contact To p-Gan. |
| นักวิจัย | : | Tan, C.K. , Abdul Aziz, A. , Hassan, Z. , Tam, F.K. , Hudeish, A.Y. |
| คำค้น | : | TK1-9971 Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering |
| หน่วยงาน | : | Universiti Sains Malaysia, Malaysia |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2548 |
| อ้างอิง | : | http://eprints.usm.my/5558/1/Electrical_Characteristics_And_Thermal_Stability_Of_Ti_Contact_To_p%2DGan.pdf , Tan, C.K. and Abdul Aziz, A. and Hassan, Z. and Tam, F.K. and Hudeish, A.Y. (2005) Electrical Characteristics And Thermal Stability Of Ti Contact To p-Gan. In: 6th International Conference On Nitride Semiconductors, 28 Aug - 2Sept 2005, Brennex,Germany. (Submitted) |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | http://eprints.usm.my/5558/ |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Wide band gap GaN semiconductor has a variety of applications in optoelectronic devices such as lightemitting diodes and laser diodes. |
| บรรณานุกรม | : |
Tan, C.K. , Abdul Aziz, A. , Hassan, Z. , Tam, F.K. , Hudeish, A.Y. . (2548). Electrical Characteristics And Thermal Stability Of Ti Contact To p-Gan..
กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia. Tan, C.K. , Abdul Aziz, A. , Hassan, Z. , Tam, F.K. , Hudeish, A.Y. . 2548. "Electrical Characteristics And Thermal Stability Of Ti Contact To p-Gan.".
กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia. Tan, C.K. , Abdul Aziz, A. , Hassan, Z. , Tam, F.K. , Hudeish, A.Y. . "Electrical Characteristics And Thermal Stability Of Ti Contact To p-Gan.."
กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia, 2548. Print. Tan, C.K. , Abdul Aziz, A. , Hassan, Z. , Tam, F.K. , Hudeish, A.Y. . Electrical Characteristics And Thermal Stability Of Ti Contact To p-Gan.. กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia; 2548.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
