| ชื่อเรื่อง | : | Tuning the band gap of ZnO thin films by Mg doping |
| นักวิจัย | : | Thonglem S. , Suksri C. , Pengpat K. , Rujijanagul G. , Eitssayeam S. , Intatha U. , Tunkasiri T. |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2559 |
| อ้างอิง | : | 10139826 , 2-s2.0-84969921352 , 10.4028/www.scientific.net/KEM.690.131 , https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84969921352&origin=inward , http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/42484 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | © 2016 Trans Tech Publications, Switzerland. Structural, morphological, optical and electrical properties of magnesium (Mg) doped zinc oxide (ZnO) films were prepared by the ultrasonic spray pyrolysis technique on a microscope glass substrate, and have been studied in terms of the Mg doping content. The precursor solutions of Mg doped ZnO films were prepared from zinc acetate dihydrate (Zn(CH 3 OO) 2 ·2H 2 O) and magnesium acetate tetrahydrate (CH 3 COO) 2 Mg·4H 2 O) as dopant. The compositions of these solutions were fixed at 0.02 M of Zn(CH 3 OO) 2 .2H 2 O and the atomic percentage ratio of Mg/Zn varied from 0 to 20 atomic %. The XRD patterns of all films showed ZnO hexagonal wurtzite structure and the morphology showed homogeneous structure/texture being pinhole-free with added Mg content. It was found that Mg2+ ions did not change conductivity of ZnO films due to the partial substitution of Zn2+ ion with the same valence Mg2+ ion. For optical properties, all films showed high transmittance over 80% and absorbance around 0.01 in the visible and near infrared regions. Moreover, the Mg dopant affects the shift of the absorption edge in the transmittance spectra of the films to a lower wavelength in the ultraviolet region and increases the band gap of the samples. |
| บรรณานุกรม | : |
Thonglem S. , Suksri C. , Pengpat K. , Rujijanagul G. , Eitssayeam S. , Intatha U. , Tunkasiri T. . (2559). Tuning the band gap of ZnO thin films by Mg doping.
เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ . Thonglem S. , Suksri C. , Pengpat K. , Rujijanagul G. , Eitssayeam S. , Intatha U. , Tunkasiri T. . 2559. "Tuning the band gap of ZnO thin films by Mg doping".
เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ . Thonglem S. , Suksri C. , Pengpat K. , Rujijanagul G. , Eitssayeam S. , Intatha U. , Tunkasiri T. . "Tuning the band gap of ZnO thin films by Mg doping."
เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ , 2559. Print. Thonglem S. , Suksri C. , Pengpat K. , Rujijanagul G. , Eitssayeam S. , Intatha U. , Tunkasiri T. . Tuning the band gap of ZnO thin films by Mg doping. เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ ; 2559.
|
