| ชื่อเรื่อง | : | Electrical properties of field-effect transistor with interlinked ZnO tetrapod network as an active layer |
| นักวิจัย | : | Ponhan W. , Thepnurat M. , Phadungdhitidhada S. , Wongratanaphisan D. , Choopun S. |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2559 |
| อ้างอิง | : | 02578972 , 2-s2.0-84963976875 , 10.1016/j.surfcoat.2016.04.022 , https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84963976875&origin=inward , http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/41309 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | © 2016 Elsevier B.V. In this work, we have investigated the thin film based field-effect transistor (FET) with interlinked ZnO tetrapod network (ITN-ZnO) used as an active channel layer. The ITN-ZnOs were synthesized by microwave assisted thermal oxidation technique. A ZnO FET with bottom gate structure was fabricated and investigated in terms of electrical properties. X-ray diffraction pattern revealed the wurtzite hexagonal structure of the ITN-ZnO. A drain current on/off ratio of 10 4 , the off-state current as low as 10 nA, the threshold voltage of 10 V, field effect mobility of 7.939 cm 2 /Vs and sub-threshold swing of 1.4 V/decade were obtained. These results suggested that ITN-ZnO could be applied for FET, which could be operated in an enhancement mode. |
| บรรณานุกรม | : |
Ponhan W. , Thepnurat M. , Phadungdhitidhada S. , Wongratanaphisan D. , Choopun S. . (2559). Electrical properties of field-effect transistor with interlinked ZnO tetrapod network as an active layer.
เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ . Ponhan W. , Thepnurat M. , Phadungdhitidhada S. , Wongratanaphisan D. , Choopun S. . 2559. "Electrical properties of field-effect transistor with interlinked ZnO tetrapod network as an active layer".
เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ . Ponhan W. , Thepnurat M. , Phadungdhitidhada S. , Wongratanaphisan D. , Choopun S. . "Electrical properties of field-effect transistor with interlinked ZnO tetrapod network as an active layer."
เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ , 2559. Print. Ponhan W. , Thepnurat M. , Phadungdhitidhada S. , Wongratanaphisan D. , Choopun S. . Electrical properties of field-effect transistor with interlinked ZnO tetrapod network as an active layer. เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ ; 2559.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
