| ชื่อเรื่อง | : | การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล |
| นักวิจัย | : | สมชัย รัตนธรรมพันธ์ |
| คำค้น | : | การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล , สารกึ่งตัวนำ |
| หน่วยงาน | : | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| ผู้ร่วมงาน | : | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์ |
| ปีพิมพ์ | : | 2554 |
| อ้างอิง | : | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/49187 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | โครงการวิจัยเลขที่ 108G-EE-2552 |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | - |
| บรรณานุกรม | : |
สมชัย รัตนธรรมพันธ์ . (2554). การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล.
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. สมชัย รัตนธรรมพันธ์ . 2554. "การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล".
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. สมชัย รัตนธรรมพันธ์ . "การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล."
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2554. Print. สมชัย รัตนธรรมพันธ์ . การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2554.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
