| ชื่อเรื่อง | : | Morphological And Optical Properties Of Porous Gallium Nitride (Gan) Fabricated By Photoelectrochemical Process |
| นักวิจัย | : | Cheah , Sook Fong |
| คำค้น | : | QC1 Physics (General) |
| หน่วยงาน | : | Universiti Sains Malaysia, Malaysia |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2558 |
| อ้างอิง | : | http://eprints.usm.my/30084/1/Cheah_Sook_Fong.pdf , Cheah , Sook Fong (2015) Morphological And Optical Properties Of Porous Gallium Nitride (Gan) Fabricated By Photoelectrochemical Process. Masters thesis, Universiti Sains Malaysia. |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | http://eprints.usm.my/30084/ |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | Kajian mengenai fabrikasi filem nipis GaN berliang melalui proses fotoelektrokimia (PEC) telah dilaporkan. An investigation into the fabrication of porous GaN thin films via photoelectrochemical (PEC) process was reported. The main objective for this research work is to investigate the morphological and optical properties of fabricated porous GaN thin films. |
| บรรณานุกรม | : |
Cheah , Sook Fong . (2558). Morphological And Optical
Properties Of Porous Gallium Nitride
(Gan) Fabricated By
Photoelectrochemical Process.
กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia. Cheah , Sook Fong . 2558. "Morphological And Optical
Properties Of Porous Gallium Nitride
(Gan) Fabricated By
Photoelectrochemical Process".
กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia. Cheah , Sook Fong . "Morphological And Optical
Properties Of Porous Gallium Nitride
(Gan) Fabricated By
Photoelectrochemical Process."
กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia, 2558. Print. Cheah , Sook Fong . Morphological And Optical
Properties Of Porous Gallium Nitride
(Gan) Fabricated By
Photoelectrochemical Process. กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia; 2558.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
