ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของเซลล์แสงอาทิตย์รอยต่อวิวิธพันธ์คอปเปอร์อินเดียม แกลเลียมไดซิลีไนด์ที่มีช่องว่างแถบพลังงานสูง (ระยะที่ 1)

หน่วยงาน มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของเซลล์แสงอาทิตย์รอยต่อวิวิธพันธ์คอปเปอร์อินเดียม แกลเลียมไดซิลีไนด์ที่มีช่องว่างแถบพลังงานสูง (ระยะที่ 1)
นักวิจัย : ปณิตา จิตยุทธการ
คำค้น : -
หน่วยงาน : มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : -
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย : -
บรรณานุกรม :
ปณิตา จิตยุทธการ . (2550). การวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของเซลล์แสงอาทิตย์รอยต่อวิวิธพันธ์คอปเปอร์อินเดียม แกลเลียมไดซิลีไนด์ที่มีช่องว่างแถบพลังงานสูง (ระยะที่ 1).
    กรุงเทพมหานคร : มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี.
ปณิตา จิตยุทธการ . 2550. "การวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของเซลล์แสงอาทิตย์รอยต่อวิวิธพันธ์คอปเปอร์อินเดียม แกลเลียมไดซิลีไนด์ที่มีช่องว่างแถบพลังงานสูง (ระยะที่ 1)".
    กรุงเทพมหานคร : มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี.
ปณิตา จิตยุทธการ . "การวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของเซลล์แสงอาทิตย์รอยต่อวิวิธพันธ์คอปเปอร์อินเดียม แกลเลียมไดซิลีไนด์ที่มีช่องว่างแถบพลังงานสูง (ระยะที่ 1)."
    กรุงเทพมหานคร : มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี, 2550. Print.
ปณิตา จิตยุทธการ . การวิเคราะห์ลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของเซลล์แสงอาทิตย์รอยต่อวิวิธพันธ์คอปเปอร์อินเดียม แกลเลียมไดซิลีไนด์ที่มีช่องว่างแถบพลังงานสูง (ระยะที่ 1). กรุงเทพมหานคร : มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีพระจอมเกล้าธนบุรี; 2550.