| ชื่อเรื่อง | : | วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอรอฟสไกด์เชิงซ้อนที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ของสารประกอบเลดซิงค์ไนโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลัก |
| นักวิจัย | : | สุขุม อิสเสงี่ยม , ทวี ตันฆศิริ , กอบวุฒิ รุจิจนากุล |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | - |
| อ้างอิง | : | - |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | - |
| บรรณานุกรม | : |
สุขุม อิสเสงี่ยม , ทวี ตันฆศิริ , กอบวุฒิ รุจิจนากุล . (). วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอรอฟสไกด์เชิงซ้อนที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ของสารประกอบเลดซิงค์ไนโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลัก.
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. สุขุม อิสเสงี่ยม , ทวี ตันฆศิริ , กอบวุฒิ รุจิจนากุล . . "วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอรอฟสไกด์เชิงซ้อนที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ของสารประกอบเลดซิงค์ไนโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลัก".
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. สุขุม อิสเสงี่ยม , ทวี ตันฆศิริ , กอบวุฒิ รุจิจนากุล . "วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอรอฟสไกด์เชิงซ้อนที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ของสารประกอบเลดซิงค์ไนโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลัก."
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, . Print. สุขุม อิสเสงี่ยม , ทวี ตันฆศิริ , กอบวุฒิ รุจิจนากุล . วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอรอฟสไกด์เชิงซ้อนที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ของสารประกอบเลดซิงค์ไนโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลัก. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; .
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
