| ชื่อเรื่อง | : | Elevated Co-Silicide for sub-100nm High Performance and RF CMOS |
| นักวิจัย | : | วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ |
| คำค้น | : | - |
| หน่วยงาน | : | ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | - |
| อ้างอิง | : | - |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | - |
| บรรณานุกรม | : |
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . (). Elevated Co-Silicide for sub-100nm High Performance and RF CMOS.
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . . "Elevated Co-Silicide for sub-100nm High Performance and RF CMOS".
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี. วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . "Elevated Co-Silicide for sub-100nm High Performance and RF CMOS."
กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, . Print. วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . Elevated Co-Silicide for sub-100nm High Performance and RF CMOS. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; .
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
