ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Effect of donor and acceptor dopants on fatigue properties in PZT thin films

หน่วยงาน ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Effect of donor and acceptor dopants on fatigue properties in PZT thin films
นักวิจัย : อนุชา วัชระภาสร
คำค้น : -
หน่วยงาน : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2555
อ้างอิง : -
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :



Fatigue properties of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 or PZT thin films on platinized silicon substrates were investigated. Small amounts of WO3 and CuO nano-particles were added into PZT films, which showed the results of soft and hard doping characteristics, respectively. The additions also affected the fatigue properties of PZT by showing almost no hysteresis fatigue up to 108 switching bipolar pulse cycles, while the fatigue of PZT started at 106cycles. The results suggest that the soft and hard doping could reduce the fatigue of PZT films and the oxygen vacancies play an important role in polarization degradation of the films.


บรรณานุกรม :
อนุชา วัชระภาสร . (2555). Effect of donor and acceptor dopants on fatigue properties in PZT thin films.
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
อนุชา วัชระภาสร . 2555. "Effect of donor and acceptor dopants on fatigue properties in PZT thin films".
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
อนุชา วัชระภาสร . "Effect of donor and acceptor dopants on fatigue properties in PZT thin films."
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, 2555. Print.
อนุชา วัชระภาสร . Effect of donor and acceptor dopants on fatigue properties in PZT thin films. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; 2555.