| ชื่อเรื่อง | : | Improvement of the path-integral approach to heavily doped semiconductors |
| นักวิจัย | : | Varagorn Piputnchonlathee |
| คำค้น | : | สารกึ่งตัวนำ , Intergrated circuits |
| หน่วยงาน | : | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
| ผู้ร่วมงาน | : | Chulalongkorn University. Graduate School , Virulh Sa-yakanit |
| ปีพิมพ์ | : | 2539 |
| อ้างอิง | : | http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/45598 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | The heavily doped semiconductor is modelled as a system of an electron moving in a large number of dense and weak impurities, or in a Gaussian distributed potential. Both Gaussian and screened Coulomb potentials are considered. The improved path-integral approach, using the two-parameter variational method, is applied to find the density of states. The full-ground-state and deep-tail approximations are used to obtain the expressions for the density of states in closed forms, similar to those obtained by the one parameter theory and Halperin and Lax' method. To evaluate the parameter values, two variational principles are taking into account. Numerical results are presented and compared with those of others Thesis (M.Sc.)--Chulalongkorn University, 1996 |
| บรรณานุกรม | : |
Varagorn Piputnchonlathee . (2539). Improvement of the path-integral approach to heavily doped semiconductors.
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. Varagorn Piputnchonlathee . 2539. "Improvement of the path-integral approach to heavily doped semiconductors".
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. Varagorn Piputnchonlathee . "Improvement of the path-integral approach to heavily doped semiconductors."
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2539. Print. Varagorn Piputnchonlathee . Improvement of the path-integral approach to heavily doped semiconductors. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2539.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
