| ชื่อเรื่อง | : | Edge effects in silicon IGFETs. |
| นักวิจัย | : | Serack, James Arthur |
| คำค้น | : | Electric , apparatus , and , appliances , Electronic , apparatus , and , appliances , Solid , state , physics |
| หน่วยงาน | : | Edinburgh Research Archive, United Kingdom |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2531 |
| อ้างอิง | : | 314405 , http://hdl.handle.net/1842/7489 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | - |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | - |
| บรรณานุกรม | : |
Serack, James Arthur . (2531). Edge effects in silicon IGFETs..
กรุงเทพมหานคร : Edinburgh Research Archive, United Kingdom . Serack, James Arthur . 2531. "Edge effects in silicon IGFETs.".
กรุงเทพมหานคร : Edinburgh Research Archive, United Kingdom . Serack, James Arthur . "Edge effects in silicon IGFETs.."
กรุงเทพมหานคร : Edinburgh Research Archive, United Kingdom , 2531. Print. Serack, James Arthur . Edge effects in silicon IGFETs.. กรุงเทพมหานคร : Edinburgh Research Archive, United Kingdom ; 2531.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
