วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2556

วิทยานิพนธ์ฉบับนี้นำเสนอการปลูกควอนตัมดอต InxGa1-xAs ซ้อนทับ 1,3 และ 5 ชั้นที่มีชั้นแทรก GaAsบนพื้นผิวลายตาราง In0.2Ga0.8As ด้วยระบบปลูกผลึกแบบลำโมเลกุล (MBE) วัดและวิเคราะห์สัณฐานวิทยาพื้นผิวและสมบัติเชิงแสงโดยกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม (AFM) และระบบวัดโฟโตลูมิเนสเซนซ์ (PL) ที่อุณหภูมิต่ำตามลำดับ การเพิ่มจำนวนชั้นซ้อนทับของควอนตัมดอต InxGa1-xAs มีผลต่อรูปร่าง ขนาด ความหนาแน่น และอัตราส่วนของความกว้างที่ฐานในทิศ [1-10] ต่อ [110] (Aspect ratio) ของควอนตัมดอต ผลการวัดโพลาไรซ์ โฟโตลูมิเนสเซนซ์ (PPL) จะแปรตามเศษส่วนโมลของอินเดียม (x) และจำนวนชั้นซ้อนทับ ในกรณีที่ x = 1 หรือเป็นควอนตัมดอต InAs การเพิ่มชั้นควอนตัมดอตซ้อนทับจาก 1 เป็น 3 ส่งผลให้ค่า aspect ratio ของควอนตัมดอตเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญและความสูงเฉลี่ยเพิ่มขึ้นประมาณ 2 nm ทำให้ผลการเปล่งแสงมีค่าระดับโพลาไรซ์ (DOP) เพิ่มขึ้น 38% เมื่อวัดจากกระบวนการโพลาไรซ์โฟโตลูมิเนสเซนซ์ (PPL) แต่เมื่อเพิ่มชั้นซ้อนทับเป็น 5 ค่า aspect ratio จะลดลงเล็กน้อยและความสูงเฉลี่ยลดลงประมาณ 2 nm ส่งผลให้ค่า DOP ลดลงอย่างมีนัยสำคัญเหลือเพียง 3% ซึ่งบ่งชี้ถึงความสำคัญของความสูงที่ผลต่อสมบัติโพลาไรซ์เหนือกว่าผลกระทบจาก aspect ratio เมื่อพิจารณาถึงค่า DOP ประสิทธิผลจากโครงสร้าง ในกรณีที่ x = 0.5 หรือเป็นควอนตัมดอต In0.5Ga0.5As การเพิ่มชั้นควอนตัมดอตซ้อนทับจาก 1 เป็น 3 ค่าaspect ratio ของควอนตัมดอตจะเพิ่มขึ้นเล็กน้อยและความสูงเฉลี่ยลดลง 3.5 nm ส่งผลให้ค่า DOP เพิ่มขึ้น 25% แต่เมื่อเพิ่มชั้นซ้อนทับเป็น 5 ทั้ง aspect ratio ความสูงเฉลี่ย และค่า DOP ยังคงมีค่าประมาณเท่าเดิม