ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การเปล่งแสงจากอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตโมเลกุล

หน่วยงาน จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การเปล่งแสงจากอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตโมเลกุล
นักวิจัย : นิรัตน์ พัฒนเสมากุล
คำค้น : โครงสร้างนาโน , ควอนตัมดอต , อินเดียมอาร์เซไนด์ , การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล , Nanostructures , Quantum dots , Indium arsenide , Molecular beam epitaxy
หน่วยงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ผู้ร่วมงาน : ทรงพล กาญจนชูชัย , จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
ปีพิมพ์ : 2554
อ้างอิง : http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/37229
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2554

รายงานการปลูกและสมบัติทางแสงของควอนตัมดอตโมเลกุล (QDMs) ซึ่งประกอบด้วย ควอนตัมดอตกลาง (cQDs) และ ควอนตัมดอตบริวาร (sQDs) cQDs และ sQDs มีทั้งการเกิดและขนาดกระจายตัวต่างกัน ทำให้มีสเปกตรัมที่ต่างกัน โครงสร้าง QDMs ถูกเตรียมขึ้นโดยการปลูกซ้ำของ InAs บนแม่แบบหลุมนาโน (nanohole) ดังนั้นสมบัติของ cQDs และ sQDs จึงได้รับผลกระทบจากโครงสร้างหลุมนาโนชั้นล่าง โครงสร้างและสมบัติทางแสงของ QDMs ถูกศึกษาควบคู่กันไปโดยเปลี่ยนความหนาการกลบและการปลูกซ้ำ ผล PL ตามอุณหภูมิของ QDMs แสดงพฤติกรรมแบบ 2 กลุ่มที่เป็นเอกลักษณ์ ต่างจากโครงสร้าง QDs หรือโครงสร้างนาโนอื่น ซึ่งเป็นผลจาก QDMs มีขนาด QDs กระจายตัวเป็น 2 กลุ่ม สเปกตรัมของ QDMs อธิบายได้ด้วยฟังก์ชัน Gaussian หลายฟังก์ชัน ซึ่งแสดงการเปล่งแสงจากระดับพลังงานพื้นจาก cQDs และ sQDs การเปล่งแสงของ cQDs ขึ้นกับความหนาของชั้นกลบอย่างมาก และแทบจะเป็นอิสระต่อความหนาปลูกซ้ำ ในขณะที่การเปล่งแสงของ sQDs ขึ้นกับพารามิเตอร์ทั้ง 2 ตัว ยิ่งชั้นกลบหนา สเปกตรัมของ cQDs ก็ยิ่งมีระดับพลังงานต่ำ เมื่อชั้นกลบหนา 6 ML สเปกตรัมของ cQDs อยู่ในช่วง 1.16-1.19 eV และเมื่อชั้นกลบหนา 25 ML ระดับพลังงานทั้งช่วงจะลดลง (red-shifted) มาที่ 1.05-1.07 eV การเปล่งแสงของ sQDs ต้องปลูกซ้ำหนาขึ้นเมื่อชั้นกลบหนาขึ้น มิฉะนั้น sQDs จะเกิดขึ้นไม่สมบูรณ์และไม่ปรากฏการเปล่งแสงจาก sQDs สเปกตรัมของ sQDs เมื่อชั้นกลบและปลูกซ้ำหนาเหมาะสม อยู่ในช่วง 1.11-1.21 eV ความกว้างที่ครึ่งของยอด (FWHM) ของ cQDs และ sQDs มีค่า 20-35 และ 60-75 meV ตามลำดับ ผล PL ตามอุณหภูมิแสดงให้เห็นว่า เมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้น สถานะพื้นของ cQDs มีพลังงานที่ลดลงอย่างช้าๆ ขณะที่ FWHM มีค่าเกือบคงที่ ในทางตรงกันข้าม สถานะพื้นของ sQDs เปลี่ยนแปลงแบบ sigmoidal ขณะที่ FWHM เปลี่ยนแปลงอย่างไม่สม่ำเสมอ เป็นผลจากการกระจายตัวใหม่ของคู่พาหะภายในและระหว่างโมเลกุล การซ้อน QDMs 2 ชั้นที่มีเงื่อนไขการปลูกต่างกันทำให้โครงสร้างสามารถเปล่งแสงได้ในช่วงกว้าง โครงสร้าง QDMs ซ้อน 2 ชั้นซึ่งยังไม่ถูกปรับให้เหมาะที่สุดแสดง FWHM ที่ 170 meV ส่วนนี้สามารถเป็นผลที่สำคัญสำหรับบทประยุกต์โฟโตโวลทาอิก

บรรณานุกรม :
นิรัตน์ พัฒนเสมากุล . (2554). การเปล่งแสงจากอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตโมเลกุล.
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
นิรัตน์ พัฒนเสมากุล . 2554. "การเปล่งแสงจากอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตโมเลกุล".
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
นิรัตน์ พัฒนเสมากุล . "การเปล่งแสงจากอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตโมเลกุล."
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2554. Print.
นิรัตน์ พัฒนเสมากุล . การเปล่งแสงจากอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตโมเลกุล. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2554.