วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2554

นำเสนอขั้นตอนวิธีการออกแบบวงจรอินเวอร์เตอร์แหล่งกระแสความถี่ 10 เมกกะเฮิรตซ์ที่ใช้ตัวเก็บประจุแฝงภายในมอสเฟตเป็นตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์ของวงจรโหลด ค่าของตัวเก็บประจุภายในมอสเฟตมีการเปลี่ยนแปลงตามแรงดัน รูปคลื่นแรงดันคร่อมเดรนและซอร์สแตกต่างกันอย่างมากจากรูปคลื่นสัญญาณไซน์แบบเรียงกระแส ในการวิเคราะห์และออกแบบวงจรอินเวอร์เตอร์ แรงดันคร่อมขั้วเดรนและซอร์สของมอสเฟตถูกประมาณด้วยผลรวมของค่าคงที่กับฟังก์ชันโคไซน์ แรงดันคร่อมขั้วเดรนและซอร์สของเมสเฟตมีความเกี่ยวข้องกับแรงดันไฟตรงที่สำหรับเป็นแหล่งจ่ายกระแสตรงตามหลักสมดุล แรงดัน-วินาทีของตัวเหนี่ยวนำ กฏการอนุรักษ์พลังงานถูกนำมาประยุกต์ใช้ในเรื่องตัวประกอบคุณภาพที่สูงของวงจรโหลด ในการประเมินค่าตัวเหนี่ยวนำวงจรโหลดรวมถึงค่ากระแสสูงสุดในตัวเหนี่ยวนำ วิทยานิพนธ์นี้ยังได้สร้างวงจรอินเวอร์เตอร์แหล่งกระแสความถี่ 10 เมกกะเฮิรตซ์ กำลังงานออก 40 วัตต์ และมีประสิทธิภาพสูงสุดเท่ากับ 73% โดยค่ากำลังออกสูงสุดของวงจรถูกจำกัดโดยค่าสูงสุดของแรงดันและกระแสที่มอสเฟต ผลของการคำนวณที่ได้มีความสอดคล้องกับผลการจำลองการทำงานรวมถึงการทดลองที่ได้