วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2550

ในงานวิจัยนี้ได้ศึกษาถึงสมบัติของฟิล์มบางอะลูมินัมออกซิไนไตรด์ที่ปลูกด้วยเทคนิค อาร์ เอฟ แมกนิตรอน สปัตเตอริง แบบควบคุมเวลาแก๊สไวปฏิกิริยา เพื่อใช้เป็นเมมเบรนที่ไวต่อไอออนสำหรับวัดค่าความเป็นกรด-เบส โดยจากการศึกษาพบว่าเทคนิคดังกล่าวสามารถใช้ปลูกฟิล์มให้มีความหนาตรงตามที่ต้องการ และมีความสม่ำเสมอในทุกๆ ตำแหน่ง นอกจากนี้ความหนาและองค์ประกอบทางเคมีของฟิล์มยังมีความคงที่เมื่อทำการปลูกซ้ำ โดยฟิล์มบางที่ปลูกได้มีองค์ประกอบทางเคมีคือ อะลูมินัม 54.84±1.75% ไนโตรเจน 35.28±1.36% และออกซิเจน 9.88±0.85% เมื่อทำการแอนนีลฟิล์มที่อุณหภูมิต่างๆ พบว่า ที่อุณหภูมิ 300 องศาเซลเซียส ไม่เกิดการเปลี่ยนแปลงที่ชัดเจนทางด้านโครงสร้างผลึกและโครงสร้างจุลภาคของฟิล์ม เมื่อเพิ่มอุณหภูมิเป็น 500 และ 800 องศาเซลเซียส พบว่าเกิด nucleating sites และการขยายขนาดของเกรนตามลำดับ โดยพบรอยแตกที่เกิดจากความเค้นทางความร้อนบนผิวของฟิล์มด้วย เมื่อนำฟิล์มมาสร้างเป็นโครงสร้าง MIS และทดสอบสมบัติทางไฟฟ้าพบว่า ฟิล์มควรมีความหนาอย่างน้อย 70 nm เพื่อให้มีค่ากระแสรั่วต่ำ เมื่อนำฟิล์มมาสร้างเป็นโครงสร้าง EIS และทดสอบสมบัติทางไฟฟ้าในสารละลายที่มีค่าความเป็นกรด-เบสแตกต่างกันในช่วง 4-10 พบว่า สามารถตอบสนองต่อความหนาแน่นของไอออนได้โดยมีค่าการตอบสนองต่อความเป็นกรด-เบสเท่ากับ 46.67 mV/pH