กระบวนการเจือสารคือ กระบวนการที่ทำให้สารที่มีความบริสุทธิ์ สูญเสียความบริสุทธิ์ เพื่อเปลี่ยนแปลงคุณสมบัติทางกายภาพของสารนั้นๆ การเจือสารในวัสดุสารกึ่งตัวนำ จัดทำขึ้นเพื่อเปลี่ยนแปลงคุณสมบัติการนำไฟฟ้าของสารนั้นให้ดีขึ้น การเจือสารนิยมใช้สองวิธีคือ วิธีการแพร่สารเจือ (Diffusion) และวิธีการยิงฝังประจุสารเจือ (Implantation) ในบทความนี้นำเสนอการเจือสารโดยเทคนิคการยิงฝังประจุไอออน (Ion Implantation) ประกอบไปด้วย เทคโนโลยีการเจือสารโดยกระบวนการยิงฝังประจุไอออน เครื่องยิงฝังประจุ ขั้นตอนการเจือสาร ผลการเจือสาร การวิเคราะห์ผล ประโยชน์และการประยุกต์ใช้งานการยิงฝังประจุ ซึ่งกระบวนการดังกล่าวทำขึ้น ณ ศูนย์เทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ (ทีเมค) ซึ่งนับได้ว่ามีความพร้อมในการสร้างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีขนาดลายวงจรในระดับต่ำกว่า 1 ไมครอน บนแผ่นผลึกซิลิกอนขนาด 6 นิ้ว (ภาวัน สยามชัย และคณะ, 2547)

Doping is a process of introducting impurities in order to change physical properties of material. In semiconductor, this process is normally used to change electrical properties. The two methods, commonly used, are diffusion and ion implantation techniques. This paper presents an ion implantation technology, an implantation machine, a doping technique, doping results, analytical results, benefits and applications of implantation process. This process is currently used for submicron IC fabrication technology at Thai Mircroelectronic Center (TMEC)