รายงานฉบับนี้นำเสนอเทคนิคการยิงฝังประจุ (Implantation) อะตอมสารเจือโบรอน (11B+) เพื่อศึกษาคุณสมบัติความต้านทานเชิงแผ่น (Sheet Resistance: Rs) ความลึกในการเจือสาร (Junction depth: Xj) และความไม่สม่ำเสมอการกระจายตัวของอะตอมสารเจือ (Non uniformity) ในแผ่นผลึกอะตอมซิลิคอนฐานรองระนาบ (100) โดยทำการปรับเปลี่ยนตำแหน่งเป้าหมาย (Target) ในขั้นตอน implantation คือ มุมเบี่ยงเบน (Tilts) การหมุน (Rotations) และ สเตปการหมุน (Twists) จากนั้นนำไปผ่านกระบวนการแอนนีล (Anneal) จากการทดลองพบว่าการ implantation ที่ Tilt 7°เทียบกับ Tilt 0° ทำให้มีค่า Rs เพิ่มขึ้นเฉลี่ย 9.56% และ Xj ตื้นขึ้นเฉลี่ย 2.94% มี %Non uniformity เฉลี่ยดีขึ้น 0.29% เมื่อ จากการเพิ่ม Tilt ทำให้ค่า Rs และ Xj เปลี่ยนแปลงอย่างชัดเจนแต่ %Non uniformity มีการเปลี่ยนแปลงน้อยมาก จากนั้นเพิ่มการ Twist และ Rotation พบว่าที่ Twist 36° Rotation 0 rps มีค่า Rs น้อยลง 2.69% มี Xj ต่างกันเฉลี่ย 1.81% และสามารถลด %Non uniformity เฉลี่ยได้ 42.12% เมื่อเทียบกับ twist 0 rotation 0 rps ดังนั้นเงื่อนไขที่เหมาะในการ implantation เพื่อสร้างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำคือ implantation Tilt 7° Twist 36° Rotation 0 rps This paper report presents the influence of tilt, rotation and twist angle on sheet resistance (Rs), junction depth (Xj) and nonuniformity of boron (11B+) ion implantation into (100) silicon substrate. After annealing, it was found that the tilt angle of 7° increases Rs by 9.56%, decreases Xj by 2.94% and slightly improves uniformity by 0.29% when compared with the tilt angle of 0°. At a 36° twisted implant with no rotation, Rs is decreased by 2.69%, Xj is differed by 1.81%, and uniformity is significantly improved by 42.12% when compared with 0° twist angle with no rotation. As a result, the optimized parameters for the 11B+ ion implantation are tilt angle of 7° and twist angle of 36° with no rotation.