รายงานฉบับนี้นำเสนอความลึกการเจือสาร โดยเทคนิคการยิงฝังประจุปริมาณสารเจือโบรอน (11B+) สูง ด้วยเครื่องยิงฝังประจุกระแสขนาดกลาง (Medium Current Ion Implanter) รุ่น NH-20SR ด้วยวิธีการเพิ่มจำนวนครั้งในการยิงฝังประจุสารเจือ จากการทดลองพบว่าได้ค่าความต้านทานเชิงแผ่น (sheet resistance: Rs) และความลึกในการเจือสาร (Junction depth: Xj) ที่ใกล้เคียงกัน เมื่อเปรียบเทียบผลการทดลองกับผลการจำลองแบบการสร้างด้วยโปรแกรม TSUPREM-4 พบว่ามีค่า Rs ที่ต่างกันประมาณ 31.48% และมีค่าความลึกใกล้เคียงกันที่ 1.7 ไมโครเมตร ซึ่งเงื่อนไขดังกล่าวสามารถนำมาใช้ในกระบวนการเจือสารโดยวิธียิงฝังประจุ เพื่อสร้างอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำต่อไป This paper report presents Junction depth (Xj) of high dose implantation Boron (11B+) dopant technique by using Medium Current Ion Implanter, NH-20SR. This technique used increase dopant impurity atoms using step implant. This result between one and multi implant are nearly Rs and Xj values. Experimentation to compare with simulation are 31.48% of Rs and Xj nearly with 1.7 um. Aforementioned technique will be used to fabricate semiconductor device.