This paper describes the impact of different shallow trench isolation (STI) depth on leakage current of shallow p-n junction compatible with a 0.13 μm (P0.13) and 90 nm (P0.1) CMOS technology. A shallower STI depth can induced a higher peripheral and corner current component due to a higher surface generation velocity (Sgeff). This conclusion is derived from a dedicated generation (τg) recombination (τr) lifetime, and Sgeff analysis which has been developed for shallow junctions in a highly doped p-well and combines current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics

งานวิจัยนี้เป็นการอธิบายผลของความลึกการสร้างร่องตื้นสำหรับแยกอุปกรณ์ต่อกระแสรั่วของรอยต่อตื้นพี-เอ็น ที่ใช้ในเทคโนโลยีซีมอสขนาด 0.13 ไมครอน และ 90 นาโนเมตร โดยพบว่าความลึกของร่องตื้นน้อยจะทำให้กระแสทางด้านข้างและที่มุมมีค่ามากขึ้น เนื่องจากค่าความเร็วในการเกิดพาหะที่ผิวหน้ามีค่าสูงขึ้น บทสรุปนี้ได้จากการวิเคราะห์ค่าเวลาในการเกิดและการรวมตัวของพาหะในบริเวณเนื้อ และค่าความเร็วในการเกิดพาหะที่ผิวหน้า ที่พัฒนาสำหรับรอยต่อตื้นๆ โดยพิจารณาจากคุณสมบัติทางไฟฟ้ากับแรงดัน และ ค่าความจุกับแรงดัน